时间：2025/8/13 1:57:08
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LMUN2211LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的双极性晶体管（NPN型）阵列，采用SOT-23-6封装。该器件集成了两个独立的NPN晶体管，并且在单个芯片上提供，适用于需要高集成度和空间节省的应用。LMUN2211LT1G具有良好的电气性能，适用于放大和开关应用。
类型：NPN晶体管阵列
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT-23-6
晶体管数量：2个独立NPN晶体管
增益（hFE）：110 至 800（取决于工作电流）
过渡频率（fT）：100MHz
安装类型：表面贴装
LMUN2211LT1G 的主要特性包括：高增益和高频响应，适合放大和开关应用；双晶体管集成在一个封装中，减少了PCB布局空间；每个晶体管都有独立的引脚配置，便于灵活使用；低饱和电压（VCE(sat)），提高了效率并减少了功耗；符合RoHS标准，支持无铅（Pb-Free）焊接工艺，适用于环保要求较高的应用；SOT-23-6封装具有良好的热性能，能够有效散热。
此外，LMUN2211LT1G的引脚排列设计使得在电路设计中可以方便地进行布线，且每个晶体管之间具有良好的隔离性，避免相互干扰。其工作温度范围宽，适用于工业级和消费级应用。该器件的高可靠性使其在各种电子设备中广泛应用。
LMUN2211LT1G 广泛应用于以下领域：数字逻辑电路中的开关元件；音频放大器和信号放大电路；LED驱动电路和电源管理；嵌入式系统中的传感器接口电路；消费类电子产品如手机、平板电脑、智能穿戴设备；工业控制系统中的继电器驱动和马达控制；通信设备中的信号处理电路。
由于其双晶体管结构，LMUN2211LT1G特别适合需要多个晶体管协同工作的电路设计，例如差分放大器、推挽输出级等。在需要节省空间和简化设计的场合，该器件是一个理想的选择。
BC847BSW-7-F, MMBT2222A, 2N3904, FMMT2222A, PMBT2222A
