LMUN2136LT1G 时间：2025/8/13 20:26:45 阅读：22

LMUN2136LT1G是一种双极性晶体管（BJT）阵列集成电路，由安森美半导体（ON Semiconductor）制造。该器件内部包含两个独立的NPN晶体管，通常用于需要双晶体管配置的放大和开关应用。LMUN2136LT1G采用SOT-23-6封装，具有小尺寸和高集成度的特点，适用于便携式电子设备和空间受限的应用场景。其内部晶体管具有一定的电流增益（hFE），可在多种通用放大和数字开关电路中使用。

参数

晶体管类型：双NPN晶体管
　　封装类型：SOT-23-6
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗：200mW
　　电流增益（hFE）：100 - 800（根据工作电流不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

特性

LMUN2136LT1G的两个NPN晶体管具有良好的匹配特性，适合需要对称设计的电路应用，如差分放大器或双路开关电路。
　　该器件具有较高的过渡频率（fT），支持在中高频范围内工作的应用，例如射频放大器前端或高速开关电路。
　　电流增益（hFE）的宽范围允许在不同的工作条件下保持良好的放大性能，适用于需要灵活调节放大倍数的电路设计。
　　由于其低功耗和小型封装，LMUN2136LT1G非常适合用于电池供电设备、传感器接口电路以及各种便携式电子产品中。
　　该器件还具有良好的温度稳定性，能够在较宽的环境温度范围内可靠工作，适合工业级应用需求。

应用

LMUN2136LT1G常用于需要双晶体管结构的电路中，例如音频放大器、前置放大器、信号调理电路以及模拟开关电路。
　　其高频特性使其适用于射频（RF）前端电路中的信号放大或混频器设计。
　　此外，该器件也广泛应用于数字电路中的缓冲器、驱动器和逻辑电平转换电路，特别是在需要并行处理多个信号通道的设计中。
　　在传感器系统中，LMUN2136LT1G可用于信号放大和调节，例如在温度、压力或光传感器接口电路中实现信号增强。
　　该晶体管阵列也适用于马达驱动、LED驱动和继电器控制等低功率开关应用。