类型：NPN 预偏置晶体管
　　集电极-发射极电压 (VCEO)：50V
　　集电极电流 (IC)：100mA
　　功率耗散 (PD)：300mW
　　电流增益 (hFE)：在 IC=100μA 时典型值为 70
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LMUN2130T1G 的主要特性之一是其内置的基极-发射极电阻，这使得该晶体管可以在没有外部偏置电阻的情况下工作，从而简化了电路设计并减少了 PCB 上的元件数量。此外，该器件具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子应用。
　　该晶体管的工作电压 VCEO 为 50V，能够承受相对较高的电压应力，适用于中等电压应用。其最大集电极电流为 100mA，适用于低至中等功率的开关和放大应用。功率耗散为 300mW，表明其在 SOT-23 封装中具有良好的热性能。
　　电流增益 hFE 在 IC=100μA 时的典型值为 70，这表示它在低电流条件下仍能提供良好的放大性能。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于宽温度范围的环境条件，如汽车电子和工业控制系统。
　　封装形式为 SOT-23，是一种小型表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计，并具有良好的焊接可靠性和热循环性能。

LMUN2130T1G 适用于多种电子电路，包括低功率开关电路、逻辑电平转换器、LED 驱动电路、传感器接口电路以及音频放大器中的前置放大级。由于其内置偏置电阻，该晶体管在数字电路中常用于将微控制器或其他逻辑 IC 的输出信号放大以驱动负载，如继电器、小型电机或 LED 显示屏。
　　在工业自动化系统中，LMUN2130T1G 可用于信号调理和开关控制，例如在 PLC（可编程逻辑控制器）中作为输入或输出级的缓冲器。在消费类电子产品中，如智能手机、便携式设备和家用电器中，该器件可以用于电源管理、电池充电控制和用户接口电路。
　　此外，该晶体管也可用于通信设备中的射频（RF）前端电路，如低噪声放大器（LNA）或中继器的驱动级，适用于需要小型化和高可靠性的应用。

BCX55-10, MMBT3904, 2N3904, PMBT2369