时间：2025/9/12 15:36:36
阅读：7
LMTP50SP3RWX是一款由ON Semiconductor生产的功率MOSFET，广泛用于高功率和高频开关应用。这款MOSFET采用先进的工艺制造，具备优异的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。该器件采用T-PowerFET封装，具有良好的热管理和可靠性，适合在苛刻的工业和汽车环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：50V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：12.5mΩ
栅极电荷(Qg)：70nC
封装类型：T-PowerFET
工作温度范围：-55°C至175°C
LMTP50SP3RWX具有极低的导通电阻，确保在高电流条件下损耗最小化，提高整体系统效率。其先进的沟槽式MOSFET技术提供了出色的开关性能，减少开关过程中的能量损耗，适用于高频操作环境。此外，该器件采用T-PowerFET封装，具备优异的热传导性能，有助于提高器件在高功率应用中的稳定性与可靠性。LMTP50SP3RWX符合AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统中的功率控制需求。此外，该MOSFET具备较高的耐用性和抗干扰能力，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
LMTP50SP3RWX常用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、起停系统、电池管理系统（BMS）等。此外，该器件也广泛应用于工业自动化、服务器电源、电信设备、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动电路中。由于其优异的导通特性和高频响应能力，它也适合用于高效能电源管理和高功率密度设计。
IRF540N, IPB05N06N, FDP5030BL, FDS5620T
