RF18N3R0A500CT 是一款氮化镓 (GaN) 基高电子迁移率晶体管 (HEMT),主要用于射频 (RF) 和微波功率放大器应用。该器件采用了先进的 GaN 技术,能够提供高效率、宽带宽和高输出功率的性能。其封装形式通常为芯片级或表面贴装式,适用于通信设备、雷达系统和卫星通信等领域。
这款晶体管以其卓越的高频特性和低热阻而闻名,适合需要高增益和高线性度的设计。此外,由于其材料特性,RF18N3R0A500CT 能够在高温环境下保持稳定的工作状态。
工作频率:DC - 18 GHz
输出功率:3 W
增益:大于12 dB
饱和漏极电流:500 mA
击穿电压:大于200 V
最大栅源电压:±7 V
导通电阻:小于1 Ω
封装类型:芯片级
RF18N3R0A500CT 的主要特性包括:
1. 高效的射频功率转换能力,适用于多种无线通信场景。
2. 极低的寄生电容和电感,确保了出色的高频性能。
3. 热稳定性强,能够在极端温度条件下持续运行。
4. 小尺寸设计,便于集成到紧凑型射频模块中。
5. 使用 GaN 技术显著降低了功耗,提升了整体系统效率。
6. 可靠性高,使用寿命长,满足工业及军事级别的需求。
该型号的典型应用场景包括:
1. 无线基础设施中的功率放大器,如基站和中继站。
2. 军用雷达系统的信号发射与接收部分。
3. 卫星通信设备中的上行链路放大器。
4. 测试测量仪器,例如矢量网络分析仪和频谱分析仪。
5. 工业加热和等离子体生成设备中的高频电源模块。
6. 汽车雷达系统和其他需要高性能射频组件的场合。
RF18N3R0A500CS, RF18N3R0A500DT