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RF18N3R0A500CT 发布时间 时间:2025/7/1 20:44:06 查看 阅读:7

RF18N3R0A500CT 是一款氮化镓 (GaN) 基高电子迁移率晶体管 (HEMT),主要用于射频 (RF) 和微波功率放大器应用。该器件采用了先进的 GaN 技术,能够提供高效率、宽带宽和高输出功率的性能。其封装形式通常为芯片级或表面贴装式,适用于通信设备、雷达系统和卫星通信等领域。
  这款晶体管以其卓越的高频特性和低热阻而闻名,适合需要高增益和高线性度的设计。此外,由于其材料特性,RF18N3R0A500CT 能够在高温环境下保持稳定的工作状态。

参数

工作频率:DC - 18 GHz
  输出功率:3 W
  增益:大于12 dB
  饱和漏极电流:500 mA
  击穿电压:大于200 V
  最大栅源电压:±7 V
  导通电阻:小于1 Ω
  封装类型:芯片级

特性

RF18N3R0A500CT 的主要特性包括:
  1. 高效的射频功率转换能力,适用于多种无线通信场景。
  2. 极低的寄生电容和电感,确保了出色的高频性能。
  3. 热稳定性强,能够在极端温度条件下持续运行。
  4. 小尺寸设计,便于集成到紧凑型射频模块中。
  5. 使用 GaN 技术显著降低了功耗,提升了整体系统效率。
  6. 可靠性高,使用寿命长,满足工业及军事级别的需求。

应用

该型号的典型应用场景包括:
  1. 无线基础设施中的功率放大器,如基站和中继站。
  2. 军用雷达系统的信号发射与接收部分。
  3. 卫星通信设备中的上行链路放大器。
  4. 测试测量仪器,例如矢量网络分析仪和频谱分析仪。
  5. 工业加热和等离子体生成设备中的高频电源模块。
  6. 汽车雷达系统和其他需要高性能射频组件的场合。

替代型号

RF18N3R0A500CS, RF18N3R0A500DT

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RF18N3R0A500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格4,000 : ¥0.24891卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容3 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.034"(0.87mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-