类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：2.4V
　　齐纳电压容差：±1%
　　最大齐纳电流：20mA
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-65°C ~ +150°C
　　封装类型：SOD-123

LMSZ5226ET1G 是一款高精度、低功耗的齐纳电压基准二极管，其齐纳电压为2.4V，具有±1%的容差，确保了输出电压的稳定性，适用于对精度要求较高的电路设计。该器件的温度系数较低，典型值为50ppm/°C，这意味着其电压随温度变化的程度非常小，有助于维持系统在整个工作温度范围内的稳定性。
　　在功耗方面，LMSZ5226ET1G 的最大齐纳电流为20mA，额定功率为300mW，适用于低功耗设计环境。其采用SOD-123封装，体积小巧，适合用于空间受限的PCB布局。此外，该器件具有良好的长期稳定性，适用于需要长期运行而无需频繁校准的应用场景，如工业控制系统、测试测量设备、医疗电子设备等。
　　LMSZ5226ET1G 的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的热稳定性和环境适应性，可在严苛的工业环境中稳定工作。其反向漏电流非常低，在非工作状态下功耗极小，有助于提高系统整体的能效。

LMSZ5226ET1G 主要用于需要高精度电压基准的电子电路中，如模拟-数字转换器（ADC）和数字-模拟转换器（DAC）的参考电压源、电源管理电路、电压调节器、传感器信号调理电路等。其低温度系数和高稳定性使其成为高精度测量仪器、工业控制系统、医疗设备、通信设备以及消费类电子产品中电压参考的理想选择。此外，该器件还可用于电池供电设备中的低功耗基准源设计，以延长电池使用寿命。

LMVZ5226T1G, TLVH431BIM5