容量：512Kbit (64K x 8)
　　组织方式：x8
　　电源电压：2.3V ~ 3.6V
　　最大访问时间：55ns（在3.3V时）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：8引脚 SOIC
　　封装尺寸：约 150 mils
　　封装引脚数：8
　　封装型号：SOIC-8
　　读取电流（最大）：160mA
　　待机电流（最大）：10mA

NM25C041LM8X 具备多项显著的技术特性，首先是其高速存取能力，最大访问时间仅为 55ns，适用于对响应时间要求较高的应用场景。其采用的 CMOS 工艺不仅提升了器件的运行速度，还有效降低了功耗，尤其在待机状态下，电流消耗低于 10mA，有助于延长设备的电池寿命。
　　其次，该 SRAM 芯片支持宽电压范围供电（2.3V 至 3.6V），使其能够兼容多种电压标准，便于在不同的系统设计中灵活应用。同时，其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，确保了在工业级环境下的稳定运行。
　　此外，该器件采用 8 引脚 SOIC 封装，体积小巧，便于 PCB 布局和集成，适用于空间受限的设计场景。其高可靠性和抗干扰能力也使其在恶劣环境下依然能保持稳定的性能表现。

NM25C041LM8X 广泛应用于多个高性能存储需求的领域。例如，在工业控制系统中，该芯片可作为高速缓存存储器，用于临时存储关键数据或指令。在通信设备中，它常用于缓冲数据、存储临时配置信息以及支持高速数据交换。
　　此外，该器件也适用于网络设备，如路由器和交换机中，用于快速存储和处理数据包信息，从而提升设备的整体性能。在消费电子产品领域，如高端智能穿戴设备或便携式医疗设备中，NM25C041LM8X 的低功耗特性和小封装尺寸使其成为理想的存储解决方案。
　　由于其具备工业级温度范围和高稳定性，NM25C041LM8X 也广泛用于车载电子系统、安防监控设备和自动化测试设备中，作为关键的存储组件。

IS62WV5128BLL-55BLLI, CY62148EVLL-45BZI-SX, IDT71V416SA8B, AS6C6216-55PCN-B