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LMSZ5226BLT1 发布时间 时间:2025/8/13 7:57:26 查看 阅读:21

LMSZ5226BLT1 是一款由ON Semiconductor生产的低功耗、低电压、表面贴装的齐纳二极管(Zener Diode)。该器件专为电压调节、基准电压源和电压钳位等应用设计,广泛用于便携式电子设备、电源管理系统和电池供电设备中。LMSZ5226BLT1 采用SOD-523封装,具有小尺寸和良好的热稳定性,适合高密度PCB布局。

参数

类型:齐纳二极管
  功率:200 mW
  齐纳电压(标称):2.6V
  齐纳电压公差:±2%
  最大齐纳电流:80 mA
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOD-523
  尺寸:0.89 mm x 0.64 mm x 0.46 mm
  极性:单向
  最大反向漏电流(VR=1.9V):100 nA
  热阻(RθJA):600°C/W

特性

LMSZ5226BLT1 齐纳二极管具有多项优异的电气和物理特性,适用于高精度电压调节和基准电压源应用。
  首先,该器件的齐纳电压为2.6V,且电压公差仅为±2%,确保了在精密电路中提供稳定的参考电压,这对于模拟电路、ADC/DAC参考电压和低电压调节系统尤为重要。
  其次,LMSZ5226BLT1 的最大功耗为200 mW,齐纳电流最大可达80 mA,使其在小型封装中仍具备良好的功率处理能力。这种特性使得它在负载变化较大的电路中仍能维持稳定的电压输出。
  该器件采用SOD-523封装,尺寸小巧(0.89 mm x 0.64 mm x 0.46 mm),非常适合用于空间受限的便携式设备,如智能手机、平板电脑、穿戴设备和无线传感器等。此外,SOD-523封装具有良好的焊接可靠性和热稳定性,适用于自动化贴片工艺。
  LMSZ5226BLT1 的工作温度范围为-55°C至150°C,适应宽温度环境,适用于工业级和汽车电子应用。其最大反向漏电流在1.9V下仅为100 nA,确保在低电压应用中不会引入显著的漏电流误差。
  另外,该齐纳二极管具有良好的动态阻抗特性,响应速度快,能够在瞬态负载变化时迅速恢复电压稳定,提高了电路的抗干扰能力。

应用

LMSZ5226BLT1 主要用于需要稳定参考电压的电路中,如电源管理模块、电池充电电路、ADC参考电压源、电压检测电路、低功耗传感器系统、便携式电子产品和嵌入式控制系统等。此外,它也可用于保护电路中的电压钳位,防止过压损坏敏感元件。

替代型号

LMSZ5226BUT1G, LMSZ5226B-G, LMSZ5226BSLT1G

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