时间：2025/8/13 7:50:19
阅读：7
LMSZ3V6ET1G是一款由ON Semiconductor生产的齐纳二极管，主要用于电压参考和电压调节应用。该器件具有精确的击穿电压和低动态电阻，适合用于需要稳定电压的电子电路设计。LMSZ3V6ET1G采用小型SOD-523封装，具有优良的热稳定性和响应特性。
类型：齐纳二极管
击穿电压（Vz）：3.6 V
最大齐纳电流（Iz）：100 mA
动态电阻（Zz）：15 Ω
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOD-523
功率耗散：300 mW
LMSZ3V6ET1G齐纳二极管具有多项关键特性，使其在电子设计中非常受欢迎。首先，其精确的击穿电压确保了电压参考的稳定性，适用于精密电压调节电路。其次，低动态电阻提高了电压调节的精度，减少了负载变化对输出电压的影响。此外，该器件的封装形式SOD-523体积小巧，适合高密度PCB布局。LMSZ3V6ET1G还具有良好的热性能，能够在高温环境下保持稳定运行，确保系统的可靠性。最后，其高功率耗散能力（300mW）使其适用于多种功率调节应用。
LMSZ3V6ET1G广泛应用于需要电压参考和调节的电子系统中。常见的应用包括电源管理模块、电压调节器、电池充电器、信号调理电路以及传感器接口电路。此外，它也常用于工业控制系统、消费类电子产品和汽车电子系统中，以提供稳定的参考电压。
BZV55-C3V6, MMSZ5234B
