时间：2025/7/2 16:33:58
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TBZT52C10S 是一款高性能的贴片式陶瓷电容器，采用多层陶瓷工艺制造。它具有高可靠性、低等效串联电阻（ESR）和出色的频率特性，适合用于高频电路中的滤波、耦合和去耦应用。
该型号属于 X7R 温度特性的介质材料系列，具备良好的温度稳定性和容量变化特性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的性能表现。
容量：10nF
额定电压：50V
容差：±10%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装形式：0603英寸
介质材料：X7R
绝缘电阻：大于 10GΩ
频率特性：在 1kHz 下表现出标称容量
TBZT52C10S 的主要特性包括：
1. 高稳定性：采用 X7R 介质材料，容量随温度的变化较小，适合对温度敏感的应用场景。
2. 小型化设计：0603 英寸封装使其非常适合空间受限的设计环境。
3. 低 ESR 和 ESL：确保在高频条件下仍能提供优异的性能，适用于电源滤波和信号耦合。
4. 长寿命和高可靠性：陶瓷电容器通常具有长使用寿命和高耐久性，尤其适合需要长期稳定工作的工业和消费类电子产品。
5. 容量精度高：±10% 的容差能够满足大多数精密电路的需求。
TBZT52C10S 广泛应用于以下领域：
1. 滤波电路：在开关电源或 DC-DC 转换器中用作输入输出滤波电容，以减少纹波和噪声。
2. 去耦电路：为集成电路提供稳定的电源电压，消除电源线上的高频干扰。
3. 耦合电路：在音频放大器和其他信号处理电路中作为级间耦合元件。
4. 高频振荡电路：利用其良好的频率特性实现精确的频率控制。
5. 工业自动化设备：如变频器、伺服控制器等需要高性能电容器的地方。
6. 消费电子：手机、平板电脑、笔记本电脑及其他便携式电子设备中的高频信号处理部分。
TBZT52C10Q, GRM188R60J104K, C1608X7R1E103K120AA
