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LMSZ39ET1G 发布时间 时间:2025/8/13 6:58:18 查看 阅读:23

LMSZ39ET1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),其设计用于提供稳定的参考电压或用于电压钳位保护电路。该器件采用 SOD-323 封装,适用于各种便携式电子设备和电源管理应用。

参数

类型:齐纳二极管
  最大齐纳电压:39V
  齐纳电流:5mA
  功率耗散:200mW
  封装类型:SOD-323
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

LMSZ39ET1G 齐纳二极管在小型 SOD-323 封装中提供了稳定的 39V 齐纳电压,适用于空间受限的电路设计。
  该器件的最大功率耗散为 200mW,支持在 -55°C 至 +150°C 的工业级温度范围内稳定工作,具有良好的热稳定性和可靠性。
  其齐纳电流为 5mA,在典型工作条件下能够提供精确的电压参考,适用于电压调节、信号处理和保护电路中的应用。
  此外,LMSZ39ET1G 的表面贴装封装便于自动化生产,降低了制造成本,并提高了电路板的空间利用率。
  该器件广泛应用于便携式电子产品、电源适配器、电池管理系统、工业控制系统以及测试与测量设备中。

应用

LMSZ39ET1G 主要用于需要稳定电压参考或电压钳位保护的电路中,例如电源管理模块、电压调节器、ADC/DAC 参考电压源、过压保护电路以及信号调理电路。
  在便携式设备中,它可以作为电池电压监控电路的一部分,确保系统在安全电压范围内运行。
  在工业控制系统中,LMSZ39ET1G 可用于为精密模拟电路提供稳定的参考电压,提高测量精度和系统稳定性。
  此外,该齐纳二极管也常用于通信设备、传感器接口电路以及嵌入式系统的电源监测和保护电路中。

替代型号

LMSZ39ET1G 可以被 LMSZ39ET1、MM3Z39V、BZT52C-J3-TR 等型号替代。

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