类型：齐纳二极管
　　封装形式：SOD-523
　　齐纳电压（Vz）：30V（典型值）
　　容差：±5%
　　最大耗散功率（Pd）：200mW
　　最大齐纳电流（Izmax）：5mA
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　动态阻抗（Zzt）：最大500Ω（在Iz=1mA）
　　漏电流（Ir）：最大100nA（在Vr=25V）

LMSZ30T1G齐纳二极管具有多个显著的性能特点。首先，其30V的齐纳电压适用于多种电压调节和参考电压应用场景，确保电路的稳定性和可靠性。其次，±5%的电压容差为设计者提供了较高的精度，适合对电压稳定性要求较高的场合。该器件采用SOD-523小型表面贴装封装，节省空间，便于自动化装配，非常适合用于高密度PCB设计。最大200mW的功耗使其能够在低功耗系统中稳定运行，同时具备良好的热稳定性。LMSZ30T1G的动态阻抗较低，典型值在500Ω以下，能够在负载变化时保持电压的稳定。此外，其漏电流极低，最大仅为100nA，有助于减少静态功耗，提高系统效率。工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其具备良好的热适应能力，适用于工业级和汽车级电子系统。

LMSZ30T1G齐纳二极管广泛应用于多个电子系统领域。在电源管理模块中，它常用于提供稳定的参考电压或作为过压保护元件。在模拟电路中，该器件可用于构建电压调节器、电压钳位电路或信号电平转换电路。在便携式设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，LMSZ30T1G的低功耗和小封装优势使其成为理想的电压参考元件。此外，它还适用于传感器信号调节、ADC参考电压源、电池管理系统以及工业控制设备中的电压基准应用。在通信设备中，该齐纳二极管可用于射频电路中的偏置电压调节，保证信号传输的稳定性。

LMSZ30T5G, BZV55-C30, MMSZ5250T1G