类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-523
　　齐纳电压：30V
　　最大齐纳电流：200mA
　　最大功耗：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　极性：单向

LMSZ30ET1G齐纳二极管具备良好的电压稳定性，能够在负载变化和温度波动的情况下维持相对恒定的齐纳电压。其SOD-523封装体积小巧，适合空间受限的电路设计。
　　该器件的响应速度快，适用于需要快速电压钳位的保护电路。此外，LMSZ30ET1G具有较高的可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　其额定功耗为300mW，允许在较高电流条件下运行，适用于需要较高功率的电压调节场合。LMSZ30ET1G还具有良好的抗静电能力，有助于提升电路的鲁棒性。
　　在制造工艺上，该齐纳二极管采用了先进的半导体制造技术，确保了良好的一致性与长期稳定性，适合用于高精度模拟电路、电源管理模块及信号保护电路中。

LMSZ30ET1G广泛应用于各类电子设备中的电压调节和保护电路。例如，在电源管理系统中，它可用作电压参考或过压保护元件，以确保系统在异常电压条件下的安全运行。
　　在汽车电子中，LMSZ30ET1G可用于保护ECU（电子控制单元）中的敏感电路免受瞬态电压冲击的影响，如由负载突降引起的电压浪涌。
　　在工业自动化设备中，该器件可用于传感器信号调理电路中的电压钳位，防止输入信号过高损坏后续放大器或ADC电路。
　　此外，LMSZ30ET1G也可用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理子系统，以提供稳定的参考电压或保护电路免受电源波动的影响。

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　　 "LMSZ30EHT1G",
　　 "MM3Z30V",
　　 "BZT52C30"
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