时间：2025/5/9 17:58:28
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BTS5672E是一款由英飞凌（Infineon）生产的高效能N沟道功率MOSFET，采用DPAK封装形式。该芯片主要设计用于高电流、低导通电阻的应用场景，广泛适用于汽车电子和工业领域。它具有出色的热性能和电气性能，能够满足严格的系统要求。此外，其内部集成的温度保护功能和过流保护功能使得器件在异常情况下具备更高的可靠性。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：1.8mΩ
栅极电荷：40nC
工作结温范围：-40℃至175℃
封装类型：DPAK（TO-263）
BTS5672E采用了先进的沟槽式MOSFET技术，实现了超低的导通电阻和优秀的开关性能。这使得它在负载切换、DC/DC转换器和电机驱动等应用中表现出色。
此外，该器件还具备以下关键特性：
- 集成的过温关断保护功能确保了在极端条件下不会损坏芯片。
- 内置的短路保护功能可以有效防止因负载故障导致的器件损坏。
- 出色的热稳定性使其能够在高温环境下持续稳定运行。
- 超低导通电阻减少了传导损耗，提高了整体效率。
- 符合AEC-Q101标准，适合汽车级应用。
BTS5672E主要应用于汽车电子和工业控制领域，具体包括但不限于以下方面：
- 汽车电动座椅驱动电路
- 汽车雨刷控制系统
- 电动车窗升降模块
- 工业电机驱动
- DC/DC转换器中的功率开关
- 各类高电流负载的开关控制
BTS5670E, BTS5671E
