时间：2025/7/5 4:11:03
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EGPD500ELL112MK30H是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET芯片，属于东芝的Advanced Super Junction MOSFET系列。该器件采用TO-247封装形式，适用于高电压、大电流场景，广泛用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子设备中。
这款MOSFET以其低导通电阻和高耐压能力而著称，能够显著提高系统效率并降低功耗。同时，其快速开关性能使其非常适合高频应用环境。
类型：N沟道增强型
最大漏源电压（Vds）：650V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：500A
导通电阻（Rds(on)）：0.95mΩ（典型值，在Vgs=15V时）
总功耗（Ptot）：300W
结温范围（Tj）：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压（650V），能够在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（0.95mΩ），从而减少导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关速度，支持高频应用，可降低开关损耗。
4. 具备出色的热稳定性，能够承受高温工作条件。
5. 内置反向恢复二极管，进一步优化了电路设计中的能量损失。
6. 符合RoHS标准，绿色环保，适合现代工业需求。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业电机驱动及控制系统的功率输出级。
3. 太阳能逆变器和不间断电源（UPS）的核心功率元件。
4. 高频DC-DC转换器和降压/升压模块。
5. 电动汽车充电桩及车载充电器的关键功率器件。
6. 各种需要大电流、高电压切换的工业和消费类电子产品。
IGBT系列：FGH50N65SMD
MOSFET系列：IRFP260N, STP500N06LL
