LMSZ27ET1G 时间：2025/8/13 6:05:54 阅读：21

LMSZ27ET1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和参考电压的应用。该器件采用SOD-523封装，适用于各种便携式电子设备和电路保护设计中。LMSZ27ET1G 提供了稳定的电压参考，具有低动态阻抗和快速响应时间的特点，非常适合用于低功耗和空间受限的电路设计。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-523
　　最大耗散功率：300 mW
　　齐纳电压：27 V
　　齐纳电流：5 mA
　　最大齐纳阻抗：900 Ω
　　最大反向漏电流：100 nA
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C

特性

LMSZ27ET1G 具备多项优异的电气和物理特性，使其在众多电压调节应用中表现出色。首先，其SOD-523小型封装使其非常适合用于空间受限的电路板设计，同时具备良好的热性能和机械稳定性。该齐纳二极管具有低动态阻抗，确保在负载变化时仍能维持稳定的电压输出，适用于高精度电压参考电路。此外，LMSZ27ET1G 的快速响应时间能够在电压瞬态变化时提供有效的稳压保护，增强系统的稳定性。
　　该器件的额定功耗为300 mW，在正常工作条件下能够提供可靠的电压调节性能。其额定齐纳电流为5 mA，在此电流下可提供精确的27 V齐纳电压。LMSZ27ET1G 的最大反向漏电流仅为100 nA，这意味着在非工作状态下其功耗极低，非常适合用于低功耗应用。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于多种恶劣环境条件下的电子设备。

应用

LMSZ27ET1G 主要应用于需要稳定电压参考或电压调节的场合。常见的应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理电路、电池充电器、电压监测系统、模拟和数字电路中的参考电压源等。此外，该器件还可用于信号调节电路、过压保护电路以及各种传感器接口电路中，以确保系统在各种工作条件下的稳定性和可靠性。