LMSZ10ET1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件设计用于在特定电压下工作,并能够在反向击穿区域保持稳定的电压输出,从而为电子电路提供稳定的参考电压或过压保护。LMSZ10ET1G 是一种表面贴装型(SOD-123)封装的齐纳二极管,适用于紧凑型电子设备和高密度 PCB 设计。
类型:齐纳二极管
齐纳电压:10V
功率耗散:200mW
封装类型:SOD-123
最大齐纳电流:200mA
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
LMSZ10ET1G 齐纳二极管具有出色的电压稳定性能,在反向击穿区域能够保持较低的动态电阻,从而确保输出电压的稳定性。该器件的低泄漏电流特性使其适用于高精度电压调节电路。此外,其表面贴装封装(SOD-123)具有较小的体积和良好的热性能,适用于自动化生产和空间受限的电路设计。
该齐纳二极管的额定功率为200mW,可支持最大200mA的齐纳电流,适用于中低功率电压调节应用。其宽工作温度范围(-55°C至150°C)确保了在各种环境条件下都能保持稳定的性能。LMSZ10ET1G 的制造工艺符合AEC-Q101汽车电子标准,适用于汽车电子系统和工业控制设备。
LMSZ10ET1G 主要用于以下应用场景:电压调节电路中的基准电压源;模拟和数字电路中的过压保护;电源管理单元中的稳压参考;测量仪器和传感器中的电压基准;汽车电子模块(如ECU、车载充电器)中的电压稳定;便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的稳压电路。
该器件也常用于运算放大器、ADC/DAC、电源监控IC等需要稳定参考电压的场合。在通信设备、工业控制系统以及消费类电子产品中,LMSZ10ET1G 提供了可靠且经济的电压调节解决方案。
LMSZ10ET1G 的替代型号包括 LMSZ10ET1、MM3Z10V、BZT52C10、1N4740A 等。这些型号在电气特性、封装形式和应用场景上与 LMSZ10ET1G 相似,可根据具体需求进行替换。