类型：SiC 肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：600 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：28 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：240 A（半正弦波，单脉冲）
　　正向电压降（VF）：典型值 1.65 V（在 28 A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大 100 μA（在 600 V, TJ = 25°C），随温度升高略有增加
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻（RθJC）：约 1.2 °C/W（典型值）
　　封装形式：TO-263AC（D2PAK）表面贴装
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　极性：单个二极管
　　反向恢复时间（trr）：无反向恢复（理想肖特基行为）
　　Qrr（反向恢复电荷）：0 C（近似）

LMNRS6028T3R0NMGJ 采用碳化硅（SiC）半导体材料，具备优异的物理与电气特性，使其在现代高功率密度电源系统中表现卓越。首先，其宽禁带结构（~3.3 eV）相较于传统硅基二极管显著降低了本征载流子浓度，从而大幅减少了高温下的反向漏电流，提升了高温工作稳定性。即使在150°C以上的工作结温下，其反向漏电流仍保持在可控范围内，避免了热失控风险。其次，作为肖特基势垒二极管，它不存在PN结的少数载流子存储效应，因此没有反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流，在高频开关电路中可完全消除由Qrr引起的开关损耗和电磁干扰（EMI），提高系统效率并简化散热设计。该器件具有较低的正向导通压降（VF），在额定电流28A下仅约1.65V，有助于减少导通损耗，特别适用于连续大电流工作的场景。
　　该二极管采用TO-263AC（D2PAK）表面贴装封装，具备良好的热传导性能和机械稳定性，便于自动化贴片生产。其底部导热焊盘可有效将热量传递至PCB，配合大面积敷铜设计可实现高效散热。此外，该器件通过AEC-Q101车规级认证，适用于汽车电子应用，如车载充电机和DC-DC转换器。其坚固的结构设计也具备较强的抗湿性和抗热循环能力，确保在恶劣环境下的长期可靠性。同时，该器件具有较高的dv/dt耐受能力，能在快速电压变化下保持稳定运行，适用于ZVS、ZCS等软开关拓扑以及图腾柱PFC电路中。综合来看，LMNRS6028T3R0NMGJ 凭借其材料优势、电气性能和封装设计，成为高性能电源系统中替代传统快恢复二极管的理想选择。

LMNRS6028T3R0NMGJ 广泛应用于需要高效率、高频率和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景之一是功率因数校正（PFC）电路，尤其是在图腾柱（Totem-Pole）无桥PFC拓扑中，该二极管作为主整流元件可充分发挥其零反向恢复特性的优势，极大降低开关损耗，提升整体能效至98%以上，广泛用于通信电源、服务器电源和高端UPS系统。在新能源领域，该器件被用于光伏（PV）逆变器的直流侧续流与防反二极管，利用其高温稳定性和低损耗特性，延长系统寿命并提升发电效率。在电动汽车（EV）相关应用中，该二极管适用于车载充电机（OBC）和DC-DC升压/降压转换器，满足AEC-Q101车规要求，支持宽温域和高振动环境下的稳定运行。
　　此外，该器件也适用于工业电机驱动中的续流保护电路，用于抑制感性负载关断时产生的反电动势，保护IGBT或MOSFET等开关器件。在高功率LED照明电源、医疗设备电源以及航空航天电源系统中，LMNRS6028T3R0NMGJ 因其高可靠性与紧凑封装，成为提升功率密度的关键元件。其表面贴装形式也便于在密集布局的PCB上实现自动化生产，适用于大批量制造场景。在高频感应加热、激光电源等特种电源中，该二极管的快速响应能力和低噪声特性也有助于提升系统动态性能和电磁兼容性。总体而言，该器件凭借其SiC材料优势和稳健设计，已成为现代绿色能源与高效电力转换系统中不可或缺的核心组件。

CREE的C4D20060D
　　Vishay的VSKY30060C
　　ON Semiconductor的NST28C60
Wolfspeed的C3D28060E