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1N5955B 发布时间 时间:2025/6/16 19:17:49 查看 阅读:6

1N5955B 是一款硅雪崩整流二极管,广泛应用于瞬态电压抑制(TVS)保护电路中。该器件具有快速响应时间和高浪涌电流能力,能够有效保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)、感应雷击和负载突降等瞬态过电压的危害。
  1N5955B 的设计使其能够在反向偏置时承受高瞬态电压,并迅速将电压箝位到安全水平,从而保护后端电路不受损害。

参数

最大工作电压(Vrwm):24V
  峰值脉冲电流(Ipp):173A
  最大反向电流(Ir):1μA
  结电容(Cj):5pF
  响应时间:1ps
  功率耗散(Pd):500W

特性

1N5955B 具有以下主要特性:
  1. 高浪涌电流能力,可承受高达 173A 的峰值脉冲电流。
  2. 快速响应时间,仅为 1ps,能够及时抑制瞬态电压威胁。
  3. 小型封装设计,便于在紧凑型电路板上使用。
  4. 低结电容(5pF),适合高频应用。
  5. 稳定的电气性能,可在较宽温度范围内可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

1N5955B 广泛用于以下应用场景:
  1. 电源线和信号线的瞬态电压保护。
  2. 汽车电子系统中的负载突降保护。
  3. 工业控制设备中的 ESD 和雷击防护。
  4. 数据通信接口的过压保护。
  5. 消费类电子产品中的电源输入保护模块。
  6. 各种需要瞬态电压抑制的场合,如继电器、电机驱动器等。

替代型号

1N5955
  SMBJ24CA
  P6KE24CA

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1N5955B参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列Surmetic™
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)180V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.5V @ 200mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电1µA @ 136.8V
  • 容差±5%
  • 功率 - 最大3W
  • 阻抗(最大)(Zzt)900 欧姆
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装轴向
  • 包装散装
  • 工作温度-65°C ~ 200°C