产品类型：铁氧体磁珠阵列
　　电感形式：表面贴装型
　　尺寸代码：0402（1005 公制）
　　标称阻抗：2.2Ω @ 100MHz
　　直流电阻（DCR）：典型值0.35Ω
　　额定电流：500mA（最大）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　容差等级：±20%
　　测试频率：100MHz
　　封装形式：卷带包装（Tape and Reel）
　　端接类型：镍/锡电镀
　　抗焊接热：耐受3次回流焊循环（每循环不超过40秒，峰值温度260°C）

LMNR4012T2R2M具备优异的高频噪声抑制能力，其核心特性在于在100MHz频率下提供2.2Ω的标称阻抗，能够在不影响电源线路或信号路径正常工作的前提下，有效衰减高频干扰成分。该磁珠采用先进的多层陶瓷与铁氧体材料复合制造工艺，确保了在小型化封装内实现稳定的电气性能和良好的热稳定性。由于其低直流电阻（典型值仅为0.35Ω），在通过较大工作电流时产生的压降和功耗非常小，因此特别适用于对能效要求较高的便携式设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
　　该器件具有出色的温度稳定性和长期可靠性，能够在-55°C至+125°C的宽温范围内持续工作，适应各种严苛环境条件下的应用需求。此外，LMNR4012T2R2M经过严格的抗焊接热测试，能够承受三次回流焊接过程而不影响性能，这使其非常适合现代无铅焊接工艺的要求。其镍/锡电镀端子提供了良好的可焊性和机械强度，保证了在PCB上的牢固连接和长期稳定性。
　　另一个显著优势是其紧凑的0402（1005）封装尺寸，使得在高密度布局的PCB设计中可以节省宝贵的空间资源。同时，该器件展现出平坦的阻抗频率响应曲线，在较宽频段内保持一致的噪声抑制效果，避免了传统电感可能带来的谐振峰问题。对于需要多通道噪声过滤的设计，该系列还提供阵列版本选项，进一步增强了设计灵活性。整体而言，LMNR4012T2R2M是一款兼顾小型化、高效能与高可靠性的磁珠解决方案，满足现代电子系统日益增长的EMI控制需求。

LMNR4012T2R2M广泛应用于各类需要高频噪声滤波和电磁干扰（EMI）抑制的电子电路中。常见应用场景包括移动通信设备中的RF前端模块电源去耦，用于消除开关噪声对敏感射频电路的影响；在高速数字逻辑电路中，作为IC供电引脚的滤波元件，防止高频噪声沿电源轨传播；此外，也常用于LCD偏置电源、摄像头模组、音频放大器以及传感器接口电路中，以提升系统信噪比和整体信号完整性。
　　在便携式消费电子产品如智能手机、智能手表、无线耳机和物联网终端设备中，由于内部集成度高、工作频率上升且电池供电对功耗敏感，LMNR4012T2R2M凭借其低DCR和高效滤波特性成为理想的EMI抑制元件。它还可用于USB、HDMI等高速数据线的共模噪声抑制，配合其他滤波元件构成完整的信号完整性解决方案。在汽车电子领域，尽管该型号非AEC-Q200认证，但在部分车载信息娱乐系统的非关键电路中也有应用实例，特别是在空间受限但需一定抗干扰能力的场合。
　　此外，该器件适用于各类DC-DC转换器输出端的噪声滤波，帮助平滑输出电压纹波，提高电源质量。在FPGA、ASIC和微处理器的I/O供电路径上，也能发挥良好的去耦作用。由于支持自动化贴装和回流焊接，非常适合大批量SMT生产线使用，提升了制造效率和产品一致性。

BLM18PG220SN1D
　　DE2016ME2R2CA
　　ERU05K2R2V