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LMN200B02-7 发布时间 时间:2025/12/26 12:05:12 查看 阅读:9

LMN200B02-7是一款由Power Integrations公司生产的高集成度、单片式离线开关IC,专为低功耗交流-直流(AC-DC)电源转换应用设计。该器件属于LinkSwitch-3产品系列,集成了一个725 V的功率MOSFET和先进的控制电路,能够在无需次级侧反馈的情况下实现精确的电压和电流调节。其主要优势在于简化了电源设计,减少了外部元器件数量,提高了系统可靠性,并满足全球能效标准,如能源之星和欧盟CoC规范。LMN200B02-7采用eSIP?(增强型小外形封装)封装,具有良好的散热性能和电气隔离能力,适用于多种消费类电子和工业类电源适配器。该芯片内置了多种保护功能,包括过载保护(OLP)、过温保护(OTP)、输出短路保护以及自动恢复模式,确保在各种异常工作条件下仍能安全运行。此外,其频率调制技术和软启动机制有效降低了电磁干扰(EMI),使得外围滤波电路更加简单,有助于通过EMI认证测试。

参数

产品系列:LinkSwitch-3
  拓扑结构:反激式(Flyback)
  封装类型:eSIP-7C
  集成MOSFET耐压:725 V
  启动电流:< 4.5 μA
  工作电流:约 1.5 mA(典型值)
  开关频率:66 kHz(典型值)
  反馈类型:初级侧检测(PSR)
  输入电压范围:85 VAC 至 265 VAC(全范围)
  待机功耗:< 30 mW(典型值,带适当设计)
  工作效率:> 80%(典型应用)
  保护功能:过温保护、过流保护、输出短路保护、自动恢复
  可调输出精度:±5%(恒压模式)
  工作温度范围:-40°C 至 +100°C
  引脚数:7
  安装方式:通孔(Through-hole)

特性

LinkSwitch-3系列的LMN200B02-7采用了初级侧调节(Primary-Side Regulation, PSR)技术,这使得它无需使用光耦合器和TL431等次级侧反馈元件,从而显著降低了系统成本并提高了长期可靠性。该技术通过检测变压器初级绕组的去磁化时间来估算输出电压,配合内部精密的控制逻辑,实现稳定的输出调节。这种设计特别适合于空间受限且对成本敏感的应用场景,例如手机充电器、小型家电电源和IoT设备供电模块。
  该芯片具备极低的启动电流(小于4.5μA),使其能够快速启动并减少启动阶段的能量损耗。同时,其工作电流也保持在较低水平,有助于提高轻载和空载时的能效表现。在负载变化范围内,芯片采用多模式控制策略,包括连续导通模式(CCM)、不连续导通模式(DCM)和跳频模式,以优化不同负载条件下的效率与噪声平衡。
  为了增强系统的安全性与鲁棒性,LMN200B02-7集成了全面的保护机制。当检测到输出短路或过载时,器件会进入自动恢复模式,周期性地尝试重启,避免持续故障导致的损坏。过温保护功能会在结温超过安全阈值时关闭输出,并在温度下降后自动恢复工作。这些保护措施不仅延长了电源寿命,还符合IEC 62368等安全标准的要求。
  此外,该器件采用频率抖动(frequency jittering)技术,将开关频率在标称值附近轻微波动,从而分散能量分布,降低传导和辐射EMI峰值,有助于简化EMI滤波器设计并降低整体BOM成本。其eSIP-7C封装提供了良好的热性能和电气隔离,支持直接安装在PCB上而无需额外绝缘垫片,进一步提升了制造便利性和散热效率。

应用

LMN200B02-7广泛应用于需要高效率、低成本和小体积的低功率离线电源系统中。典型应用场景包括额定输出功率在3W至15W之间的手机充电器、USB适配器和便携设备电源。由于其出色的待机功耗表现,该芯片非常适合用于待机时间长、强调节能特性的智能家居设备,如智能音箱、Wi-Fi路由器、智能门铃和传感器网关等。
  在消费类电子产品领域,该器件可用于电视遥控器充电座、电动牙刷充电底座、蓝牙耳机盒充电电路以及小型LED照明驱动电源。其初级侧反馈架构避免了光耦老化带来的性能衰减问题,因此在要求长寿命和免维护的灯具产品中具有明显优势。
  工业控制方面,LMN200B02-7可用于为PLC模块、传感器供电单元、继电器驱动电路和楼宇自动化设备提供稳定可靠的隔离电源。其宽输入电压范围和强健的保护功能使其能够在电网波动较大的环境中稳定运行。
  此外,在医疗辅助设备中,如便携式血压计、血糖仪和健康监测手环的充电器中,该芯片也能满足基本的安全与能效要求。得益于其符合多项国际能效标准的能力,使用LMN200B02-7的设计更容易通过能源之星(Energy Star)、欧盟ErP指令和DOE Level VI等认证,加快产品上市进程。

替代型号

LNK304PG
  LNK306PG
  TNY286G

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LMN200B02-7参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性PNP, N-Channel
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO- 50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO- 50 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min60
  • 配置Dual
  • 最大工作频率200 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-363
  • 封装Reel
  • 集电极连续电流115 mA
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散200 mW
  • 工厂包装数量3000