电容：47μF
　　电压：6.3V DC
　　温度特性：X5R
　　封装尺寸：0603（1608公制）
　　电容容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　直流偏压特性：随电压增加电容值下降（典型MLCC特性）
　　介质材料：陶瓷
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接形式：镍阻挡层/锡涂层
　　老化率：约2.5%每十年（X5R类）
　　等效串联电阻（ESR）：低（具体值依频率而定）
　　纹波电流能力：中等（受限于尺寸与结构）

LMK316BJ476MLST作为一款高容量的多层陶瓷电容器，在有限的小型封装内实现了47μF的大电容值，这得益于村田先进的介质薄层堆叠技术和高介电常数陶瓷材料的应用。其X5R温度特性确保了在宽温度范围内电容值的相对稳定，适用于大多数工业和消费类应用场景。尽管MLCC在施加直流偏压时会出现电容下降的现象，但该型号通过优化内部电极结构和介质配方，尽可能降低了电压依赖性，提升了实际使用中的有效电容利用率。该器件具有极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），使其在高频去耦应用中表现优异，能够快速响应瞬态电流变化，有效抑制电源噪声，提升系统稳定性。
　　此外，LMK316BJ476MLST采用三层金属端子结构（Tri-layer Termination），外层为锡涂层，中间为镍阻挡层，内层与内部电极连接，这种设计显著提高了抗机械应力能力和耐热循环性能，减少了因PCB弯曲或热胀冷缩导致的裂纹风险。其0603小尺寸封装有利于实现高密度贴装，满足智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间高度敏感的产品需求。同时，该电容器具备良好的高频响应特性，能够在数百kHz至数百MHz范围内提供有效的阻抗抑制，适合作为开关电源输出端的滤波电容或IC电源引脚的局部去耦电容。
　　值得注意的是，虽然该器件标称容量较大，但由于是陶瓷介质，仍需注意避免在接近额定电压下长时间工作，以免因直流偏压效应导致实际可用容量大幅降低。建议在设计时参考村田提供的DC偏压曲线图进行降额使用。此外，焊接过程中应遵循推荐的回流焊温度曲线，防止热冲击损坏陶瓷体。总体而言，LMK316BJ476MLST在小型化、高容量、高可靠性和电气性能之间取得了良好平衡，是现代电子设计中极具竞争力的被动元件选择之一。

LMK316BJ476MLST广泛应用于各类需要稳定电源供应和高效噪声抑制的电子设备中。在移动通信领域，它常用于智能手机和平板电脑的基带处理器、射频模块及摄像头模组的电源去耦电路中，有效滤除高频干扰，保障信号完整性。在便携式消费类电子产品如TWS耳机、智能手表和健康监测设备中，该电容器为低功耗微控制器、传感器和无线传输芯片提供稳定的局部储能，应对动态负载变化。在电源管理系统中，尤其是DC-DC转换器和LDO稳压器的输入输出端，LMK316BJ476MLST可作为滤波电容，平滑电压波动，降低输出纹波，提高转换效率。
　　此外，该器件也适用于各类数字逻辑电路，包括FPGA、ASIC和MCU的供电网络（PDN），用于旁路高频噪声，防止地弹和电源反弹影响系统运行。在汽车电子中，虽然其工作温度上限为+85°C限制了在高温环境下的直接使用，但在车厢内部的非动力域控制单元，如车载信息娱乐系统、仪表盘模块和车身控制模块中仍有应用潜力，前提是确保散热良好且工作温度不超标。工业控制设备、物联网网关和小型嵌入式系统同样受益于该电容器的小型化和高可靠性特点，尤其是在空间受限但对稳定性有要求的设计中。总而言之，LMK316BJ476MLST凭借其紧凑尺寸与较高电容值的组合，成为现代高集成度电子系统中不可或缺的关键元件之一。

GRM188R61C476ME70D
　　CL10A476MP8NPNC
　　C1608X5R1C476M