时间：2025/6/6 10:21:41
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WNM03316DN是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，广泛应用于高频DC-DC转换器、电源适配器和无线充电设备中。该器件采用先进的GaN FET设计，具备低导通电阻和快速开关特性，能够在高频条件下实现更高的效率和更小的体积。其封装形式为DFN8（2mmx2mm），适合于紧凑型设计需求。
该芯片集成了驱动电路和保护功能，简化了系统设计并增强了可靠性。它支持脉宽调制（PWM）控制，并且具有过温保护、过流保护等功能。
型号：WNM03316DN
类型：GaN功率开关
最大漏源电压（Vds）：100V
导通电阻（Rds(on)）：160mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.5V
连续漏极电流（Id）：3.3A
工作温度范围：-40℃至+125℃
封装：DFN8（2mmx2mm）
WNM03316DN采用了先进的氮化镓材料制造工艺，与传统硅基MOSFET相比，具有更低的寄生电容和更快的开关速度。这使得它能够显著降低开关损耗，从而提升整体系统的效率。此外，其小型化的DFN封装非常适合对空间要求较高的应用环境。
主要特性包括：
- 超低导通电阻，提高能效
- 高速开关性能，减少死区时间
- 内置多重保护机制，增强可靠性
- 支持高频操作，缩小磁性元件尺寸
- 兼容标准逻辑电平驱动
- 符合RoHS环保标准
WNM03316DN适用于多种高效能电力电子应用领域，例如：
- 快速充电器和USB-PD适配器
- 高频DC-DC转换器
- 小型化AC-DC电源解决方案
- 无线充电发射端电路
- 消费类电子产品的嵌入式电源模块
- 工业用辅助电源
由于其优异的高频特性和高效率表现，这款芯片在追求高性能和小型化的应用场景中表现出色。
WNM03318DN
WM03316DS
GAN033-16EPB
