您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > WNM03316DN

WNM03316DN 发布时间 时间:2025/6/6 10:21:41 查看 阅读:23

WNM03316DN是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率开关器件,广泛应用于高频DC-DC转换器、电源适配器和无线充电设备中。该器件采用先进的GaN FET设计,具备低导通电阻和快速开关特性,能够在高频条件下实现更高的效率和更小的体积。其封装形式为DFN8(2mmx2mm),适合于紧凑型设计需求。
  该芯片集成了驱动电路和保护功能,简化了系统设计并增强了可靠性。它支持脉宽调制(PWM)控制,并且具有过温保护、过流保护等功能。

参数

型号:WNM03316DN
  类型:GaN功率开关
  最大漏源电压(Vds):100V
  导通电阻(Rds(on)):160mΩ
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V
  连续漏极电流(Id):3.3A
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  封装:DFN8(2mmx2mm)

特性

WNM03316DN采用了先进的氮化镓材料制造工艺,与传统硅基MOSFET相比,具有更低的寄生电容和更快的开关速度。这使得它能够显著降低开关损耗,从而提升整体系统的效率。此外,其小型化的DFN封装非常适合对空间要求较高的应用环境。
  主要特性包括:
  - 超低导通电阻,提高能效
  - 高速开关性能,减少死区时间
  - 内置多重保护机制,增强可靠性
  - 支持高频操作,缩小磁性元件尺寸
  - 兼容标准逻辑电平驱动
  - 符合RoHS环保标准

应用

WNM03316DN适用于多种高效能电力电子应用领域,例如:
  - 快速充电器和USB-PD适配器
  - 高频DC-DC转换器
  - 小型化AC-DC电源解决方案
  - 无线充电发射端电路
  - 消费类电子产品的嵌入式电源模块
  - 工业用辅助电源
  由于其优异的高频特性和高效率表现,这款芯片在追求高性能和小型化的应用场景中表现出色。

替代型号

WNM03318DN
  WM03316DS
  GAN033-16EPB

WNM03316DN推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价