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LMK107BJ474MAHT 发布时间 时间:2025/12/27 10:33:15 查看 阅读:7

LMK107BJ474MAHT是村田制作所(Murata Manufacturing Co., Ltd.)生产的一款多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于小型表面贴装电容器,广泛应用于各类电子设备中,用于电源去耦、信号滤波、旁路和噪声抑制等场合。该型号的命名遵循了村田的标准编码规则,其中“LMK”代表其系列和尺寸代码,“107”表示尺寸为1005(即1.0mm x 0.5mm),B表示额定电压等级,J代表温度特性类别(EIA标准X7R),474表示电容值为47×10^4 pF(即470nF或0.47μF),M表示电容容差为±20%,AHT为包装和编带代码。该电容器采用镍阻挡层端子电极结构,并经过三层电极设计(TCE:Three-layer Cu Electrode),具有良好的可焊性和耐热性,适用于回流焊接工艺。由于其小型化、高电容密度以及稳定的电气性能,LMK107BJ474MAHT在便携式电子产品、通信设备、消费类电子和汽车电子等领域得到了广泛应用。
  作为一款X7R特性的陶瓷电容器,它能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化不超过±15%,适合在环境条件较为严苛的应用中使用。此外,其低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性使其在高频去耦应用中表现出色。需要注意的是,尽管该电容器具有较高的体积效率,但由于铁电介质材料的固有特性,在直流偏置电压下实际电容值会显著下降,因此在电路设计时应参考具体规格书中的DC偏压特性曲线进行评估。

参数

尺寸:1005 (1.0mm x 0.5mm)
  电容值:470nF (474表示47 × 10? pF)
  容差:±20% (M)
  额定电压:25V (B)
  温度特性:X7R (J)
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  介质材料:EIA Class II (X7R)
  电极材料:三层铜电极(TCE)
  安装类型:表面贴装(SMD)
  端接形式:镍阻挡层+锡镀层
  包装形式:编带(AHT)
  无铅/符合RoHS:是

特性

LMK107BJ474MAHT具备出色的温度稳定性与宽泛的工作温度范围,其X7R介质材料确保了在-55°C到+125°C之间电容值的变化控制在±15%以内,远优于Z5U或Y5V等类别,适合对温度敏感的应用场景。该电容器采用了村田先进的三层电极技术(TCE),外层为锡(Sn),中间为镍(Ni)阻挡层,内层为铜(Cu),这种结构不仅提高了抗迁移能力,还增强了焊接可靠性,有效防止因热应力或机械应力导致的端子剥离问题。同时,该结构支持无铅回流焊工艺,满足现代绿色电子制造的要求。
  该器件具有较高的电容密度,在1005小型封装下实现470nF的容量,极大节省了PCB空间,适用于高度集成化的移动设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性使其在高频去耦应用中表现优异,能够快速响应瞬态电流变化,稳定电源电压,减少噪声干扰。特别适用于微处理器、FPGA、ASIC等高速数字IC的旁路电容配置。
  需要注意的是,由于采用的是Class II铁电陶瓷介质(BaTiO3基),该电容器存在明显的直流偏置效应。随着施加的直流电压接近额定电压,实际可用电容值可能下降50%甚至更多。因此,在实际应用中必须结合村田提供的DC偏压曲线进行降额设计,避免因电容衰减导致滤波或去耦性能不足。此外,该类电容器还会受到交流信号幅度、老化效应和机械应力的影响,长期使用中电容值会缓慢下降(典型老化率为每10年约2.5%)。
  总体而言,LMK107BJ474MAHT是一款平衡了尺寸、容量、电压和稳定性的小型化MLCC,适用于要求高可靠性、小体积和良好高频性能的工业、消费类及部分汽车电子应用。

应用

LMK107BJ474MAHT广泛应用于需要小型化、高可靠性和良好温度稳定性的电子电路中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中,常用于电源管理单元(PMU)、处理器核心供电的去耦网络,发挥其小尺寸和低ESR的优势,有效滤除高频噪声,提升系统稳定性。在无线通信模块(如Wi-Fi、蓝牙、蜂窝模块)中,该电容器可用于射频前端的偏置电路滤波和电源旁路,保障信号完整性。
  在工业控制设备中,该器件适用于PLC、传感器接口、数据采集系统等场合,作为模拟前端或数字逻辑电路的滤波元件,抑制电磁干扰(EMI),提高抗扰度。在汽车电子领域,虽然该型号并非专为AEC-Q200认证设计,但在非关键车载应用中仍可用于信息娱乐系统、车身控制模块和车内照明驱动电路中的去耦和滤波功能。
  此外,在电源转换系统如DC-DC转换器、LDO稳压器的输入输出滤波电路中,LMK107BJ474MAHT可与其他电容并联使用,弥补大容量电解电容在高频段响应不足的问题,提升整体动态响应能力。在高速数字系统中,多个此类电容分布在芯片周围,构成分布式去耦网络,降低电源阻抗,抑制地弹和电源反弹现象。
  由于其良好的可焊性和耐热性,该器件兼容自动化贴片工艺和无铅回流焊流程,适合大规模生产应用。尽管不适用于高压或极端环境下的主储能元件,但其综合性能使其成为现代电子设计中不可或缺的通用型贴片电容之一。

替代型号

GRM155R71E474KA01D

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