LMG5200 时间：2025/5/19 16:32:40 阅读：5

LMG5200 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的半桥功率级集成电路，由 Texas Instruments (TI) 推出。它集成了两个 GaN 场效应晶体管 (FET) 和驱动器，能够显著提高功率转换效率和降低系统复杂性。
　　该器件采用增强型 GaN FET 技术，提供更快的开关速度、更低的导通电阻以及更高的工作频率，非常适合高频 AC/DC 和 DC/DC 转换应用。其封装形式为 QFN-16 (4mm x 4mm)，支持高达 150°C 的结温操作。

参数

额定电压：600V
　　额定电流：9A
　　导通电阻：170mΩ
　　栅极电荷：30nC
　　输入电压范围：4.5V 至 20V
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：QFN-16 (4mm x 4mm)
　　开关频率：最高支持 MHz 级别

特性

LMG5200 提供了卓越的性能和可靠性，主要特点包括：
　　1. 集成的半桥设计减少了外围元件数量，简化了 PCB 布局。
　　2. GaN 技术带来了超低的开关损耗和导通损耗，适合高效率应用。
　　3. 内置自举二极管和优化的驱动电路，进一步提升了整体效率。
　　4. 支持宽范围的 PWM 输入信号，兼容多种控制器。
　　5. 具备短路保护和过温保护功能，确保在异常条件下的安全运行。
　　6. 小巧的封装形式使其适用于对空间要求较高的场合。

应用

LMG5200 广泛应用于需要高效功率转换的各种场景，包括：
　　1. 服务器和通信电源中的高频 LLC 谐振转换器。
　　2. 消费类产品的快速充电适配器，如 USB-PD 充电器。
　　3. 工业设备中的隔离式 DC/DC 转换器。
　　4. 太阳能微型逆变器和其他可再生能源相关产品。
　　5. 笔记本电脑和游戏机等便携式电子设备的供电模块。
　　LMG5200 的高性能表现使其成为这些领域中传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。