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LMF212B7473MGHT 发布时间 时间:2025/5/26 18:10:07 查看 阅读:7

LMF212B7473MGHT 是一款高性能的低噪声放大器 (LNA),专为射频和微波应用设计。该芯片具有高增益、低噪声系数和宽频率范围的特点,适用于无线通信、卫星接收以及雷达系统等场景。它采用先进的半导体工艺制造,能够在苛刻的工作条件下保持稳定性能。

参数

型号:LMF212B7473MGHT
  封装:QFN-16
  工作频率范围:0.1GHz 至 4GHz
  增益:18dB(典型值)
  噪声系数:1.2dB(典型值)
  输入回波损耗:-12dB(典型值)
  输出回波损耗:-12dB(典型值)
  电源电压:3.3V
  功耗:50mA(典型值)
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

LMF212B7473MGHT 的主要特性包括:
  1. 高增益和低噪声系数,非常适合需要高灵敏度的射频应用。
  2. 宽带频率范围支持多种通信标准和协议。
  3. 紧凑型 QFN 封装,便于在空间受限的设计中使用。
  4. 内置匹配网络,简化外部元件需求。
  5. 出色的线性度和稳定性,确保系统在不同环境下的可靠运行。
  6. 支持低功耗模式,延长电池供电设备的使用寿命。
  这款芯片通过优化内部电路设计,在提供卓越性能的同时还具备较高的性价比。

应用

LMF212B7473MGHT 广泛应用于以下领域:
  1. 无线通信基站和中继器。
  2. 卫星通信设备,如 LNB 和天线放大器。
  3. 雷达系统中的信号处理模块。
  4. 医疗设备中的射频前端。
  5. 工业自动化控制中的无线传感网络。
  6. 消费电子类产品,例如智能音箱和物联网设备。
  由于其出色的性能和灵活性,该芯片成为许多射频工程师的理想选择。

替代型号

LMF212B7472MGHT, LMF212A7473MGHT

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LMF212B7473MGHT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥0.41112卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.047 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定10V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车,SMPS 滤波
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.053"(1.35mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-