时间：2025/8/1 14:38:37
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ITD08N65R 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有高性能和可靠性，适用于各种高功率需求的电路设计。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.85Ω
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
ITD08N65R 具有低导通电阻，能够在高电压和高电流条件下提供高效的功率转换。其高耐用性和稳定性使其适用于严苛的工作环境。该MOSFET采用先进的硅技术，提供快速开关性能，减少开关损耗。此外，其封装设计有助于散热，提高整体系统可靠性。
ITD08N65R 常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机控制、照明系统以及各种工业和消费类电子产品中的功率管理电路。
IPP08N65C3
