类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A
　　功耗（PD）：125W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

KF7N80F MOSFET具有多项优异性能，首先其高耐压（800V）特性使其适用于高压环境，如开关电源及高压逆变器等。其次，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性与散热性能，可在高功率密度应用中保持稳定工作。KF7N80F还具有快速开关能力，适用于高频开关应用，从而减小外围电路的体积并提高整体系统效率。其封装形式为TO-220，便于安装与散热，适合工业级应用需求。KF7N80F在设计上兼顾了性能与可靠性，是中高功率电源系统中的优选器件之一。
　　KF7N80F的栅极驱动特性也较为友好，能够在较低的栅极电压下实现良好的导通状态，降低驱动电路的设计难度。此外，其具备一定的抗过载能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提升了系统的稳定性与安全性。该器件还具有较低的漏电流，在高温环境下仍能保持良好的截止特性，适用于对漏电敏感的应用场景。综合来看，KF7N80F是一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET，适合多种电力电子变换器及功率控制系统使用。

KF7N80F主要应用于各类开关电源、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明电源、UPS不间断电源系统、工业控制设备以及各种中高功率电子设备中。其高耐压和低导通电阻特性使其在高压直流变换器和功率因数校正电路中表现优异。

TK7A80D, FQP7N80, IRF840, STF7NM80