时间：2025/8/13 14:59:41
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LMD966CB3TR50 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件适用于高功率和高频率应用，具备低导通电阻和优异的热性能，适用于电源管理和功率转换系统。
类型：MOSFET
晶体管类型：N沟道
最大漏极电流：6.5A
最大漏极-源极电压：60V
导通电阻：0.22Ω
栅极电荷：16nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-220
安装类型：通孔
LMD966CB3TR50 具备多个关键特性，使其适用于各种高功率应用场景。首先，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，其高达60V的漏极-源极电压额定值使其适用于多种电源管理应用，包括DC-DC转换器、电机控制和负载开关。
该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率运行时仍能保持稳定的温度。同时，其低栅极电荷特性有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频操作环境。LMD966CB3TR50还具备较高的可靠性和耐用性，适合工业级和汽车电子应用中的严苛条件。
LMD966CB3TR50 广泛应用于多个领域，包括电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电源管理领域，该MOSFET可用于高效率的AC-DC和DC-DC转换器中，提供稳定且高效的功率转换。在电机控制方面，该器件适用于驱动小型电机和执行机构，提供可靠的开关性能。此外，在汽车电子系统中，LMD966CB3TR50可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统等关键应用。
IRFZ44N, FDP6N60, STP6NK60Z
