时间：2025/9/9 1:50:23
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RCP195DNP-822K 是一种多层陶瓷电容器（MLCC），采用紧凑的表面贴装封装设计，适用于高密度电子电路。该电容器具有8200 pF（8.2 nF）的电容值，额定电压为50V，适合用于去耦、滤波和信号调节等应用。RCP195DNP-822K 通常采用标准的0805（2012公制）尺寸封装，具备良好的温度稳定性和高频响应性能。
电容值：8200 pF (8.2 nF)
额定电压：50V
封装尺寸：0805 (2012 公制)
温度系数：X7R
工作温度范围：-55°C 至 +125°C
容差：±10%
介质材料：陶瓷
RCP195DNP-822K 的主要特性包括优异的温度稳定性、低损耗因数（DF）和高绝缘电阻。该电容器使用X7R型陶瓷介质，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值的稳定性，容差控制在±15%以内。此外，该元件具备良好的高频特性，适合在射频（RF）和高速数字电路中使用。
其表面贴装封装设计（0805）使得该电容器适用于自动化贴片工艺，提高了PCB布局的灵活性和可靠性。RCP195DNP-822K 还具有优异的抗湿性和抗老化性能，适用于高要求的工业和汽车电子应用。由于其高绝缘电阻和低漏电流特性，该电容器在精密模拟电路中也表现出色。
RCP195DNP-822K 主要应用于去耦、滤波和旁路电路中。在电源管理电路中，它常用于为IC提供稳定的局部电源，减少高频噪声和电压波动。在射频电路中，该电容器用于匹配网络、滤波和耦合应用，能够有效提升系统的信号完整性。
该电容器也广泛用于消费类电子产品（如智能手机、平板电脑）、通信设备（如路由器和基站）、工业控制系统以及汽车电子系统（如ECU和车载娱乐系统）中。由于其优异的温度稳定性和高频性能，RCP195DNP-822K 在各种高可靠性环境中表现出色。
GRM2195C1H822JA01D, C2012X5R1H822KA03L, CL21B822KBQNNNE
