时间：2025/8/13 23:09:43
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LMBZ5259BLT1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款精密的表面贴装齐纳二极管，采用 SOD-123 封装形式。该器件主要用于电压调节和参考电压源应用，具有高精度和稳定的性能表现。齐纳二极管在反向击穿区域工作，能够提供一个相对稳定的电压，适用于需要高精度电压控制的电路中。
类型：齐纳二极管
封装：SOD-123
齐纳电压：22V（标称值）
最大齐纳电流：170mA
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
最大反向漏电流：100nA（@ Vr=15V）
齐纳阻抗（Zzt）：80Ω（最大）
动态电阻（Zzk）：600Ω（最大）
测试电流：10mA
LMBZ5259BLT1G 的核心特性之一是其高精度的电压参考能力，齐纳电压公差为 ±1%，确保了在关键电路中提供可靠的电压基准。其 SOD-123 封装体积小，适用于高密度 PCB 设计，便于自动化生产和表面贴装工艺。
该器件的热稳定性良好，能够在宽温度范围内维持稳定的齐纳电压。其齐纳阻抗较低，有助于减少因负载变化引起的电压波动，从而提高电路的整体稳定性。此外，LMBZ5259BLT1G 的最大耗散功率为 300mW，能够承受一定的功率负荷，适用于多种中低功率应用场合。
在电气特性方面，LMBZ5259BLT1G 在测试电流为 10mA 时表现出优异的电压调节能力，齐纳电压变化极小。其反向漏电流在额定电压下仅为 100nA，有助于减少电路中的静态功耗，提高能效。这种低漏电流特性使其在低功耗和高精度应用中表现出色，例如在电池供电设备或精密模拟电路中使用。
LMBZ5259BLT1G 广泛应用于需要高精度电压参考和调节的电子设备中，如电源管理系统、电压监控电路、模拟-数字转换器（ADC）和数字-模拟转换器（DAC）中的参考电压源。此外，它也常用于工业控制系统、通信设备、汽车电子模块以及消费类电子产品中的稳压电路。
由于其良好的温度稳定性和低漏电流特性，LMBZ5259BLT1G 也适合用于精密测量仪器和传感器电路中，作为高精度电压基准。在电池管理系统中，它可以用于过压保护电路，确保电池在安全范围内工作。在嵌入式系统中，LMBZ5259BLT1G 可以作为 MCU 或其他数字芯片的参考电压源，提高系统的稳定性和可靠性。
在设计中使用 LMBZ5259BLT1G 时，建议搭配适当的限流电阻，以确保齐纳二极管在额定电流范围内工作，避免因过流导致性能下降或损坏。同时，考虑到其 SOD-123 封装的散热能力，设计时应注意 PCB 布局，确保良好的热管理。
MMBZ5259BLT1G, BZV55-C22, MMSZ5259B
