LMBZ5230是一种表面贴装型齐纳二极管(Zener Diode),由ON Semiconductor生产。齐纳二极管是一种广泛应用于电压调节、电压参考和电路保护的半导体器件。LMBZ5230具有稳定的击穿电压和较小的封装尺寸,适用于需要紧凑设计和高稳定性的电子电路。该器件采用SOD-123封装,适合表面贴装技术(SMT)工艺。
类型:齐纳二极管
制造商:ON Semiconductor
封装类型:SOD-123
标称齐纳电压:4.7V
最大耗散功率:200mW
最大齐纳电流:100mA
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
存储温度范围:-55°C ~ 150°C
引脚数:2
反向漏电流(IR):100nA(最大)
齐纳阻抗(Zzt):900Ω(最大)
LMBZ5230齐纳二极管具备优异的电压稳定性和低动态阻抗,能够在广泛的电流范围内保持稳定的击穿电压。其SOD-123封装设计不仅节省空间,还提高了热性能和机械稳定性,适用于高密度PCB布局。此外,该器件具有快速响应时间和良好的温度稳定性,使其在温度变化较大的环境中依然能保持可靠的电压参考功能。
在电气特性方面,LMBZ5230的齐纳电压容差为±5%,在标准测试条件下(IZT = 20mA)可提供4.7V的稳定输出电压。其最大工作电流为100mA,能够满足大多数低功耗应用的需求。器件的反向漏电流极低,在25°C时最大为100nA,有助于减少静态功耗,提高电路效率。
热性能方面,LMBZ5230的最大功耗为200mW,并能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内正常工作。这使得它在高温或低温环境下依然保持稳定性能,适用于工业控制、汽车电子和便携式设备等多种应用场景。
LMBZ5230广泛应用于需要稳定电压参考或电压调节的电路中,例如电源管理模块、电压检测电路、电池供电设备和信号调理电路等。其高稳定性和紧凑封装特别适合用于便携式电子产品、消费类电子设备和工业控制系统。
具体应用包括:
1. 作为电压参考源,用于比较器、ADC/DAC电路中的基准电压;
2. 在电源电路中作为过压保护元件,防止电路因电压过高而损坏;
3. 在电池充电管理电路中用于检测电池电压;
4. 在低功耗系统中用于提供稳定的偏置电压;
5. 用于信号电平转换电路,确保不同电压域之间的信号兼容性。
1N4733A, MMSZ5230, BZX84-C4V7, ZMM4733A