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AM27256-3DI 发布时间 时间:2025/9/30 14:45:37 查看 阅读:11

AM27256-3DI是一款由AMD(Advanced Micro Devices)公司生产的高性能、高速的28引脚紫外线可擦除可编程只读存储器(EPROM),其存储容量为32K x 8位,即总共可以存储32,768字节的数据。该芯片属于AM27系列EPROM产品线的一部分,广泛应用于早期的计算机系统、工业控制设备、嵌入式系统以及需要非易失性程序存储的应用场景中。AM27256-3DI采用CMOS工艺制造,具备低功耗和高可靠性的特点,适合在较宽的温度范围内稳定运行。该器件封装形式为DIP(双列直插式封装),具体为28引脚陶瓷DIP(Ceramic DIP),型号中的“-3D”表示其访问时间为300纳秒,“I”通常表示工业级温度范围(-40°C至+85°C)。由于其数据可通过紫外线照射从石英窗口擦除并重新编程,因此非常适合开发阶段频繁修改固件的场合。AM27256-3DI通过地址总线(A0-A14)接收15位地址信号,可寻址32K字节空间,并通过8位数据总线(D0-D7)进行数据读取。其工作电压典型值为5V,兼容TTL电平,便于与多种微处理器和控制器接口连接。尽管现代系统更多采用EEPROM或Flash存储器实现在线编程功能,但AM27256-3DI在一些老旧设备维护、军事和航空航天等对长期可靠性和抗辐射性能有特殊要求的领域仍具应用价值。

参数

类型:UV EPROM
  容量:32K x 8位
  组织结构:32,768字节
  工艺技术:CMOS
  封装类型:28引脚陶瓷DIP(CERDIP)
  工作电压:5V ±10%
  访问时间:300ns
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  编程电压:+12.5V 或 +21V(根据版本)
  接口类型:并行
  输入/输出电平:TTL兼容
  地址引脚:A0-A14(15位)
  数据引脚:D0-D7
  使能信号:CE(片选)、OE(输出使能)
  编程脉冲宽度:50ms 典型值
  待机电流:典型值100μA
  工作电流:典型值40mA

特性

AM27256-3DI的核心特性之一是其紫外线可擦除功能,芯片顶部设有石英窗口,允许用户在需要时通过暴露于高强度紫外线光源(通常波长为253.7nm)下约15至20分钟来清除存储内容,从而实现多次重复编程。这种非易失性存储机制使得它在没有电源的情况下也能长期保存数据,适用于固件存储等关键应用场景。该器件具备出色的抗干扰能力和稳定性,在电磁环境复杂的工业现场仍能可靠工作。
  另一个显著特点是其快速访问时间——300纳秒,这在当时属于高速级别,能够满足早期8位和16位微处理器系统的时序要求,例如与Z80、8086、68000等CPU配合使用时无需插入等待状态,提升了系统整体运行效率。此外,其CMOS制造工艺不仅降低了功耗,还增强了噪声容限,提高了数据读取的准确性。
  AM27256-3DI支持标准的并行接口协议,具有独立的片选(CE)和输出使能(OE)控制信号,允许多片存储器共用数据总线,通过地址译码实现扩展寻址。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于恶劣环境下的应用,如户外控制系统、车载电子设备和军工装备。同时,陶瓷DIP封装提供了良好的散热性能和机械强度,并具备一定的抗辐射能力,适合高可靠性需求的场合。
  该芯片在编程过程中需要施加较高的编程电压(通常为+12.5V或+21V,具体取决于制造商规范),由编程器提供,确保浮栅晶体管正确写入数据。一旦编程完成,正常读取时仅需5V供电即可。虽然不具备在线电擦除功能,但其物理可擦除特性避免了因误操作导致永久写保护的风险,且数据保持时间长达10年以上,表现出卓越的长期存储能力。

应用

AM27256-3DI主要用于需要长期保存程序代码且允许现场更换固件的系统中。常见应用包括早期的微型计算机和单板机系统中的BIOS或监控程序存储;工业自动化领域的PLC(可编程逻辑控制器)中用于存放控制固件;通信设备中的协议处理模块;测试测量仪器的引导程序存储;以及航空航天和军事电子系统中的嵌入式控制器。由于其紫外线擦除特性,该芯片特别适合研发实验室和工程样机阶段使用,工程师可以在调试过程中反复擦除和重写程序,而无需更换新芯片。此外,在一些对元器件寿命和可靠性要求极高的环境中,AM27256-3DI因其经过长期验证的稳定性和抗环境应力能力,仍然被用作替代方案或备用库存。在教育领域,该芯片也常用于计算机组成原理、嵌入式系统和数字电路课程的教学实验中,帮助学生理解存储器的工作原理和编程机制。尽管已被现代Flash存储器广泛取代,但在设备维护、备件替换和特定高可靠性应用中,AM27256-3DI仍有不可替代的作用。

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M27256B-3|27C256

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