时间：2025/8/13 6:34:11
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LMBZ5224BT1G是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的表面贴装双极型晶体管（BJT）。它是一款PNP型晶体管，广泛应用于各种电子电路中，特别是在需要高频率响应和中等功率处理能力的场合。这款晶体管采用SOT-23封装，适用于自动化装配和紧凑型设计。
类型：PNP型晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大耗散功率（PD）：300mW
电流增益（hFE）：在2mA时为110-800（根据不同的等级）
过渡频率（fT）：100MHz
工作温度范围：-55°C至150°C
LMBZ5224BT1G晶体管具备优异的高频性能，过渡频率（fT）高达100MHz，使其非常适合用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路。
该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级可在110至800之间，适应多种电路设计需求。
采用SOT-23封装，体积小、重量轻，适合高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和可靠性。
其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，适用于中等功率应用。
此外，该器件的工作温度范围广，可在-55°C至150°C之间正常工作，适合工业级和汽车电子应用。
LMBZ5224BT1G晶体管广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器、开关电路、音频放大器、传感器接口电路以及各种消费类电子产品和工业控制系统中。
它特别适合用于低噪声前置放大器、射频接收器、无线通信设备和电源管理电路。
由于其良好的高频响应和稳定的工作性能，该晶体管也常用于模拟电路和数字电路中的信号放大和开关控制。
此外，LMBZ5224BT1G还适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、导航系统和车身控制模块等。
BC847 PNP, 2N3906, MMBT5224
