LMBZ18VALT1G 时间：2025/8/15 19:39:49 阅读：22

LMBZ18VALT1G是一款由ON Semiconductor生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压参考和稳压应用。该器件具有精确的击穿电压和低动态电阻，适用于需要稳定电压的电子电路中。LMBZ18VALT1G采用SOD-523封装，适用于表面贴装技术（SMT），具有较小的体积和较高的可靠性。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOD-523
　　最大耗散功率：200 mW
　　标称齐纳电压：18 V
　　测试电流：5 mA
　　最大齐纳阻抗：10 Ω
　　最大反向漏电流：100 nA（@ 10 V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　安装类型：表面贴装

特性

LMBZ18VALT1G具有多项优良特性，使其在稳压电路中表现出色。首先，其齐纳击穿电压为18V，在5mA测试电流下保持稳定，适用于多种电压调节应用。其次，该器件具有较低的动态电阻（最大10Ω），有助于减少电压波动，提高稳压精度。此外，LMBZ18VALT1G的反向漏电流极低（在10V下最大为100nA），确保在非击穿状态下对电路的影响最小。该器件的封装形式为SOD-523，属于小型表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。其工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适合在各种环境条件下使用。LMBZ18VALT1G还具有良好的热稳定性和长期可靠性，适用于工业和汽车电子系统中的稳压应用。
　　另外，该器件符合RoHS标准，采用无铅封装，适用于环保要求较高的电子产品设计。

应用

LMBZ18VALT1G广泛应用于需要稳定电压参考的各种电子电路中。常见的应用包括电源电路中的稳压参考源、电压监测电路、电池供电设备中的电压调节、信号处理电路中的限幅和保护电路等。此外，该器件也常用于仪表放大器、ADC/DAC参考电压源、DC-DC转换器的反馈控制电路以及汽车电子模块中的电压基准应用。由于其封装小巧、温度稳定性好，LMBZ18VALT1G也非常适合用于便携式电子设备和嵌入式控制系统。