产品类型：肖特基二极管阵列
　　配置：双阳极共阴极（Dual Anode Common Cathode）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：200 V
　　最大直流阻断电压（VR）：200 V
　　平均整流电流（Io）：2 x 1 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30 A（单脉冲，8.3ms半正弦波）
　　正向压降（VF）：典型值1.05 V，最大值1.2 V（在1 A条件下）
　　反向漏电流（IR）：最大200 μA（在25°C时），高温下不超过500 μA（125°C）
　　反向恢复时间（trr）：典型值＜5 ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SMA（DO-214AC）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJA）：约70°C/W（依PCB布局而定）
　　功率耗散（PD）：约1 W（受环境温度影响）

URS2A2R2MDD的核心特性之一是其采用高性能硅势垒肖特基技术，这种结构在保持较低正向导通压降的同时显著提升了器件的反向耐压能力。传统肖特基二极管受限于金属-半导体接触机制，通常反向耐压较低，但该型号通过优化的硅势垒设计实现了高达200V的反向阻断电压，突破了常规肖特基二极管的电压限制，使其适用于更高电压等级的电源系统。这一特性使得URS2A2R2MDD能够在DC-DC转换器、AC-DC整流电路以及电池充电管理系统中发挥关键作用。
　　另一个显著特性是其超快的开关速度。由于肖特基二极管属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此反向恢复时间极短，典型值小于5ns。这不仅减少了开关过程中的能量损耗，还有效抑制了因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰（EMI），从而提升整个系统的效率和稳定性。在高频开关电源或PWM控制电路中，这种快速响应能力有助于减少输出纹波并提高动态响应速度。
　　该器件具备良好的热稳定性和可靠性，在结温从-55°C到+150°C范围内仍能保持稳定的电气性能。其SMA封装具有较低的热阻，配合适当的PCB铜箔设计可实现高效散热，确保长时间运行下的安全性和寿命。此外，器件对瞬态过电流具有较强的承受能力，30A的峰值浪涌电流能力使其能够应对启动冲击或负载突变带来的电流应力。
　　URS2A2R2MDD还具备优异的抗静电放电（ESD）能力和长期工作稳定性，适合用于接口保护和信号调理电路。其双二极管共阴极结构可用于全波整流或双通道信号处理，简化电路设计并节省空间。整体而言，该器件结合了高耐压、低功耗、小尺寸和高可靠性的优势，是现代电力电子系统中理想的整流与保护元件。

URS2A2R2MDD广泛应用于多种需要高效整流与快速响应的电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧整流二极管，特别是在反激式或正激式拓扑结构中，利用其低正向压降和快速恢复特性来提高转换效率并降低热损耗。在DC-DC转换器模块中，尤其是在隔离型或非隔离型降压/升压电路中，该器件可作为续流二极管或防倒灌二极管使用，防止能量回馈损坏主控芯片。
　　在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源适配器中，URS2A2R2MDD因其小型化封装和高效率表现而受到青睐。它也常见于LED驱动电源中，用于交流输入端的桥式整流或输出端的续流路径，帮助实现更高的光效和更长的使用寿命。
　　在通信设备中，该二极管可用于信号解调、电压钳位和瞬态电压抑制，保护敏感的射频前端电路免受过压冲击。此外，在工业自动化控制系统中，如PLC、传感器供电单元和电机驱动器中，URS2A2R2MDD可用于电源极性保护、反接保护和噪声抑制电路。
　　由于其良好的ESD防护能力和宽温工作范围，该器件也被用于汽车电子中的辅助电源模块、车载充电器和车身控制单元中。在太阳能逆变器和便携式储能设备中，它可以作为旁路二极管防止热斑效应，同时提升整体系统的能量利用率。总之，URS2A2R2MDD凭借其多功能性和高可靠性，已成为众多中高压、高频应用场景中的优选解决方案。

SR2A2R2MDD