LMBTA92LT1G 时间：2025/5/7 10:38:01 阅读：12

LMBTA92LT1G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率晶体管，专为高频和高功率密度应用设计。该器件采用先进的封装技术以优化热性能，并支持高开关频率下的低损耗表现。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动器以及通信设备中的功率放大器。
　　这款 GaN 晶体管具有内置保护功能，能够有效防止过压和过流损坏，同时提供极低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速的开关速度，从而显著提升系统效率并减小整体尺寸。

参数

类型：增强型场效应晶体管(E-FET)
　　材料：氮化镓(GaN)
　　最大漏源电压(Vdss)：650V
　　连续漏极电流(Id)：9A
　　峰值脉冲漏极电流(Ipulsed)：36A
　　导通电阻(Rds(on))：0.15Ω
　　栅极电荷(Qg)：45nC
　　反向恢复电荷(Qrr)：无
　　开关频率：高达10MHz
　　工作温度范围：-40℃至+125℃
　　封装形式：TO-263-7(LD)

特性

1. 极低的导通电阻和栅极电荷，确保了高效率和低功耗。
　　2. 内置保护功能，包括过温保护(OTP)和过流保护(OCP)，提升了系统的可靠性。
　　3. 支持高频操作，适用于需要小型化和轻量化的功率转换场景。
　　4. 高击穿电压能力，允许在高压环境下稳定运行。
　　5. 无反向恢复电荷(Qrr)，进一步降低了开关损耗。
　　6. 先进的封装设计，增强了散热性能，延长了器件寿命。
　　7. 符合RoHS标准，环境友好且易于集成到现代电子产品中。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)，例如服务器电源和工业电源。
　　2. 高频DC-DC转换器，用于电信和网络设备。
　　3. 电机驱动器，特别是要求高效能和快速响应的应用。
　　4. 射频功率放大器，在无线通信基站和其他射频系统中。
　　5. 能量存储系统中的电池充电器和逆变器。
　　6. 新能源汽车中的车载充电器和DC-DC变换模块。