晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：80 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：80 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作电流）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23

LMBTA56LT/G 具有多种优良的电气特性，使其在电子电路中表现出色。
　　首先，其高频响应能力（过渡频率fT为100 MHz）使其非常适合用于高频放大器和高速开关电路。此外，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为80 V，使其能够在较高的电压下稳定工作，适用于多种电源管理应用。
　　其次，LMBTA56LT/G 采用了先进的硅外延平面工艺，确保了良好的热稳定性和可靠性。其SOT-23封装不仅体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，同时具有良好的散热性能，有助于提高器件的长期稳定性。
　　此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围为110至800，具体值取决于工作电流。这种宽范围的增益使其适用于多种放大和开关电路设计，能够满足不同应用场景的需求。
　　最后，LMBTA56LT/G 的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的温度适应性，适用于工业级和汽车电子系统等严苛环境下的应用。

LMBTA56LT/G 的应用范围广泛，涵盖了多个电子工程领域。
　　在数字电路中，该晶体管常用于构建开关电路，例如LED驱动、继电器控制以及电源管理模块。由于其高频响应特性，LMBTA56LT/G 也常用于射频（RF）放大器和振荡器设计中，尤其是在低功率高频电路中表现优异。
　　在模拟电路中，该晶体管可用于构建音频放大器、电压调节器和传感器信号放大电路。其宽范围的电流增益特性使其在放大电路中具有良好的线性度和稳定性，能够有效提升信号质量。
　　此外，LMBTA56LT/G 还广泛应用于嵌入式系统、消费电子产品、工业控制系统和汽车电子系统中。例如，在汽车电子系统中，它可以用于驱动小型继电器、电机或LED指示灯，提供可靠的开关控制功能。
　　对于电源管理应用，该晶体管可用于构建低压差稳压器（LDO）或DC-DC转换器中的开关元件，实现高效的能量转换。

BC847 NPN, 2N3904, MMBTA56