类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：80V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：100V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA时为110至800（具体数值取决于等级）

LMBTA06LT/G具备良好的高频响应特性，使其适用于高频放大电路。其低饱和压降和快速开关特性也使其在数字开关电路中表现出色。该晶体管的hFE值范围较宽，可根据具体应用选择不同等级的产品，以满足设计需求。此外，该器件的SOT-23封装不仅节省空间，还提高了散热性能，适用于高密度PCB设计。LMBTA06LT/G的高可靠性和稳定性也使其适用于对可靠性要求较高的工业和通信应用。
　　该晶体管还具有良好的温度稳定性和较低的噪声系数，适用于音频放大和信号处理应用。其高击穿电压特性（Vceo为80V）使其在较高电压环境中也能稳定工作。LMBTA06LT/G的封装设计也便于自动化生产和焊接，提高了制造效率。

LMBTA06LT/G广泛应用于各种电子电路中，包括高频放大器、音频放大器、开关电源、LED驱动电路、逻辑电平转换、信号处理和工业控制电路等。在消费电子产品中，它常用于便携式设备、无线通信模块和传感器接口电路。在工业应用中，LMBTA06LT/G可用于继电器驱动、电机控制和电源管理。此外，该晶体管也常用于教育实验和原型设计中，因其性能稳定、易于获取且价格合理。

PN2222A, BC547, 2N3904, MMBTA06