H5MS2G62AFR-Q3 时间：2025/9/1 12:26:17 阅读：6

H5MS2G62AFR-Q3 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高性能、低功耗的移动存储器系列，专为移动设备和便携式电子产品设计。这款芯片通常用于智能手机、平板电脑以及其他对功耗和性能有较高要求的嵌入式设备。

参数

容量：256MB
　　类型：DRAM，LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）
　　封装类型：FBGA
　　频率：1066MHz
　　电压：1.2V
　　数据宽度：16位
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　接口类型：并行

特性

H5MS2G62AFR-Q3 是一款低功耗双倍数据速率2（LPDDR2）存储芯片，专为移动设备设计。其核心特性包括低功耗运行、高数据传输速率和紧凑的封装设计。该芯片在1.2V的工作电压下运行，相比标准DDR2内存显著降低了能耗，从而延长了电池供电设备的续航时间。此外，H5MS2G62AFR-Q3 支持多种工作模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，进一步优化了功耗管理。
　　该芯片的数据传输速率为1066MHz，提供了高达1.7GB/s的带宽，满足了高性能移动设备对快速数据处理的需求。其16位的数据宽度设计也优化了数据存取效率。在封装方面，该芯片采用小型FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，使其能够适应紧凑型主板布局，适用于空间受限的便携式电子设备。
　　此外，H5MS2G62AFR-Q3 支持温度补偿自刷新（TCSR）功能，确保在不同温度条件下数据的稳定性。该芯片还具备自动预充电、突发长度可编程、延迟锁定回路（DLL）等特性，增强了其在复杂环境下的稳定性和可靠性。