晶体管类型：PNP
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vceo）：25V
　　最大集电极-基极电压（Vcbo）：30V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

LMBT8550LT1G具有多种优异的电气性能，适用于广泛的模拟和数字电路设计。
　　其PNP结构使得它在低电压开关应用中表现出色，能够快速切换并保持较低的饱和电压（Vce_sat），从而减少功耗并提高效率。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，从110到800不等，具体取决于其后缀（例如Y、GR、BL等），这为设计人员提供了灵活的选择，以满足不同电路对增益的需求。
　　此外，LMBT8550LT1G具有较高的频率响应能力，典型过渡频率（fT）为100MHz，适合用于高频放大器或高速开关电路。
　　采用SOT-23封装，该器件具有良好的热稳定性和机械可靠性，同时便于表面贴装（SMT）工艺，适用于自动化生产。
　　工作温度范围为-55°C至+150°C，使其能够在广泛的工业和商业环境中稳定运行，包括高温和低温条件下的应用。

LMBT8550LT1G 适用于多种电子电路设计，广泛用于模拟和数字电路中的小信号放大和开关控制。
　　常见应用包括音频放大器前级、低频功率放大电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器或电机控制、信号开关以及各种传感器接口电路。
　　由于其高频响应特性，LMBT8550LT1G 也可用于射频（RF）前端放大器、振荡器和调制电路中。
　　在消费电子产品中，它常用于智能手机、平板电脑、无线耳机和可穿戴设备中的信号处理和电源管理部分。
　　在工业自动化和控制系统中，该晶体管可用于继电器、马达驱动器、传感器信号调节和接口电路。
　　此外，LMBT8550LT1G 也可作为数字电路中的逆变器、缓冲器或逻辑门元件使用，适用于嵌入式系统和微控制器外围电路设计。

BC850系列, MMBT8550, 2N3906, PN2907, SMBT8550