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IXFX250N10P 发布时间 时间:2025/8/6 9:32:57 查看 阅读:28

IXFX250N10P是一款由IXYS公司生产的高功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高电流、高电压的电力电子应用。这款MOSFET以其低导通电阻(RDS(on))和优异的热性能著称,适用于需要高效能和高可靠性的系统,例如电源转换器、电动机控制、UPS系统以及工业自动化设备。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(VDS):100V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  最大连续漏极电流(ID):250A
  最大功率耗散(PD):375W
  导通电阻(RDS(on)):最大4.7mΩ(在VGS=10V时)
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

IXFX250N10P具备低导通电阻,可以显著降低导通损耗,从而提高系统的整体效率。此外,它采用先进的平面技术制造,提供了优异的开关性能和快速的响应时间,使其适用于高频开关应用。
  该器件的封装设计优化了散热性能,使其能够在高功率密度条件下稳定运行。同时,该MOSFET的耐高温能力极强,适应了严苛的工作环境,确保在高温条件下的长期可靠性。
  IXFX250N10P还具有良好的短路耐受能力,有助于提高系统的安全性和稳定性。其高栅极绝缘能力(±20V)允许使用更灵活的驱动电路设计,进一步简化了电路设计和实现过程。
  此外,该器件的封装形式为TO-264,支持快速安装和良好的散热性能,适用于高功率应用的散热需求。

应用

IXFX250N10P广泛应用于需要高功率和高效能的电力电子系统,包括但不限于以下领域:
  1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源模块,用于工业和通信设备中,提高能源利用效率。
  2. 电动机控制:适用于变频器和伺服驱动器,提供高效的电机驱动解决方案。
  3. 不间断电源(UPS):用于构建高效可靠的UPS系统,以确保在电力中断时仍能维持设备运行。
  4. 电池管理系统:用于电动车、储能系统中的高电流控制和保护。
  5. 工业自动化设备:如工业机器人、自动化生产线设备,用于高可靠性和高效率的电力控制。

替代型号

IRFP4468PBF, IXFH250N10P

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IXFX250N10P参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格30 : ¥170.08300管件
  • 系列HiPerFET?, Polar
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)250A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6.5 毫欧 @ 50A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)205 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)16000 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1250W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PLUS247?-3
  • 封装/外壳TO-247-3 变式