类型：PNP双极性晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：25V
　　集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：110到800（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LMBT8550DLT1G晶体管具有优异的电气性能和稳定性，适用于多种电子电路设计。
　　其主要特性包括高电流增益（hFE）和快速开关能力，使其在低频和中频放大电路中表现出色。该晶体管的过渡频率（fT）为100MHz，使其在高频应用中也具备良好的性能。此外，LMBT8550DLT1G的集电极-发射极饱和电压较低，有助于减少功率损耗并提高电路效率。
　　该器件的SOT-23封装设计紧凑，便于在空间受限的电路板上使用，并且支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。LMBT8550DLT1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在恶劣环境中稳定运行。
　　在可靠性方面，LMBT8550DLT1G通过了严格的工业测试，具有较长的使用寿命和稳定的电气性能。此外，其低噪声特性使其在音频放大器等对噪声敏感的应用中表现出色。

LMBT8550DLT1G晶体管广泛应用于通用电子电路中，包括信号放大、电源开关和逻辑电路设计。由于其优异的增益特性和低饱和电压，该器件常用于音频放大器、低噪声放大电路以及数字开关电路。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和穿戴设备中，LMBT8550DLT1G用于电源管理和信号处理模块。此外，该晶体管还可用于传感器接口电路、射频（RF）前端模块以及工业自动化控制系统中的驱动电路。

BC850BPNP, 2N3906, MMBT8550, PN2907