APL3523QBI-TRG是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于汽车电子和工业领域。该器件采用先进的制程技术制造,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效降低系统功耗并提高效率。其封装形式为TO-263(D2PAK),具有良好的散热特性和机械稳定性,非常适合用于DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等应用场合。
该器件符合AEC-Q101车规级标准,能够在极端温度环境下稳定工作,适用于对可靠性和安全性要求较高的场景。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:30A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:80nC
开关速度:典型值20ns
工作温度范围:-40℃至175℃
封装形式:TO-263(D2PAK)
APL3523QBI-TRG的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(3.5mΩ),能够显著减少导通损耗,提升系统效率。
2. 高额定电流能力(30A),适合大功率应用场景。
3. 符合AEC-Q101标准,确保在汽车环境中长期稳定运行。
4. 良好的热性能和封装设计,提高了器件的散热能力和可靠性。
5. 快速开关速度(20ns),有助于降低开关损耗并支持高频操作。
6. 宽广的工作温度范围(-40℃至175℃),适应各种恶劣环境条件。
APL3523QBI-TRG广泛应用于以下领域:
1. 汽车电子系统中的DC-DC转换器和电源管理模块。
2. 工业设备中的负载开关和电机驱动电路。
3. 大功率LED驱动器及逆变器。
4. 通信电源和服务器电源中的功率级开关元件。
5. 其他需要高效能功率开关的应用场景。
APL3523QBI-TRG-P
IRF3710
STP36NF06L