时间：2025/5/30 11:35:07
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LMBT5551DW1T1G 是一款双极性晶体管 (BJT)，属于 NPN 类型，适用于高频开关和线性放大应用。该晶体管采用 SOT-23 封装，具有小体积、高增益和低噪声的特点，适合在各种便携式设备和消费电子中使用。
其设计优化了射频 (RF) 应用场景下的性能，包括无线通信模块、信号调节电路以及音频放大器等。器件的额定电压和电流参数使其能够在多种工作条件下保持稳定。
集电极-发射极击穿电压：16V
集电极最大连续电流：0.2A
直流电流增益 (hFE)：最小值 110
特征频率 (fT)：800MHz
功耗：270mW
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
LMBT5551DW1T1G 提供了非常高的增益带宽乘积，使得它特别适合用于高频和高速开关电路。
由于采用了先进的工艺技术，该晶体管具有较低的噪声系数，在无线通信系统中的信号放大和调节方面表现出色。
其 SOT-23 封装确保了较小的 PCB 占用面积，并且支持表面贴装技术 (SMT)，便于自动化生产。此外，器件在高温环境下仍能保持良好的电气性能，非常适合汽车和工业环境的应用。
该晶体管广泛应用于无线通信模块中的射频信号放大和调制解调电路。
在消费类电子产品中，LMBT5551DW1T1G 常被用于耳机放大器和麦克风前置放大器的设计。
其他典型应用还包括电池供电设备中的电源管理电路、振荡器、混频器以及传感器接口电路等。
在工业领域，该器件也可用于数据采集系统和远程监控设备中的信号调理部分。
MMBT5551DW1T1G
BFR92A
2SC4285
