晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大集电极-基极电压：30V
　　最大功耗：300mW
　　最大工作温度：150°C
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　封装类型：SOT-23

LMBT5089LT1G 具有出色的高频性能，其过渡频率（fT）高达250MHz，适用于射频放大器和高速开关电路。该晶体管的低噪声特性使其在无线通信系统中表现优异，尤其是在低电压工作条件下仍能保持良好的信号放大能力。
　　该器件采用了SOT-23封装，具有较小的体积和良好的热性能，适用于高密度PCB布局。LMBT5089LT1G 还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，能够在各种恶劣环境下稳定工作。
　　此外，LMBT5089LT1G 的基极-发射极电压较低，有助于降低电路的整体功耗，适用于电池供电设备和低功耗应用。其高增益特性确保了信号在放大过程中的稳定性，减少了信号失真。
　　作为一款通用高频晶体管，LMBT5089LT1G 在设计上具有高度的灵活性，可广泛应用于射频前端、振荡器、混频器、调制解调器等多种电路中。

LMBT5089LT1G 主要应用于射频（RF）放大器、无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi模块、FM接收器、高速开关电路、振荡器以及混频器等高频电子电路中。由于其优异的高频性能和低功耗特性，该晶体管特别适合用于便携式电子产品和无线传感器网络中的信号处理单元。
　　在射频应用中，LMBT5089LT1G 可用作低噪声放大器（LNA），在接收端提升微弱信号的强度，提高通信系统的灵敏度。在无线通信模块中，它可用于构建振荡器或混频器，实现频率转换和信号调制。此外，在高速数字电路中，LMBT5089LT1G 也可作为开关晶体管，用于控制高速信号的通断。
　　该晶体管还可用于音频放大器前置级、模拟乘法器、调制解调器、频率合成器等复杂模拟电路中，提供稳定的增益和良好的频率响应。

BC847系列、2N3904、BFQ59、MMBT5089、2N4401