类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功率耗散（PD）：300mW
　　频率响应（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LMBT491NELT1G是一款高性能的NPN晶体管，具有较高的频率响应，适合高频放大和快速开关应用。该器件的电流增益范围广泛（hFE在不同工作条件下可为110至800），使得它在多种电路设计中都具有良好的适应性。其最大集电极-发射极电压为80V，集电极电流限制为100mA，适用于低功率电路中的信号放大和开关控制。该晶体管采用SOT-23封装，体积小、便于在紧凑型电子设备中使用。此外，其最大功率耗散为300mW，能够在较高频率下保持稳定工作而不会过热。由于其良好的电气特性和稳定性，LMBT491NELT1G被广泛应用于音频放大器、数字逻辑电路、传感器驱动和接口电路等场景。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其具备良好的热稳定性和适用于较为严苛的环境条件。ON Semiconductor作为全球知名的半导体制造商，其产品在质量和可靠性方面均有保障，适合工业和消费类应用。
　　总体而言，LMBT491NELT1G是一款通用性较强的NPN晶体管，适用于需要中等电压和电流处理能力的电子电路，特别是在高频应用中表现出色。

LMBT491NELT1G广泛应用于各种电子设备和系统中，包括但不限于以下领域：高频信号放大器、音频放大电路、数字开关电路、传感器接口电路、嵌入式控制系统、消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、无线耳机）以及工业自动化设备。由于其高频响应和较高的可靠性，该晶体管特别适合用于射频（RF）前端模块、小信号放大和逻辑驱动电路中。

MMBT491, BC847, 2N3904