时间：2025/9/14 6:27:32
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PEMH17,115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能射频功率晶体管，广泛用于射频放大器应用，尤其是在无线通信和广播设备中。该器件基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术，具备高效率、高增益和高可靠性的特点。PEMH17,115专为在1.8 GHz至2.2 GHz频率范围内工作而设计，适用于各种基站和发射系统。
类型：射频功率晶体管
技术：LDMOS
频率范围：1.8 GHz至2.2 GHz
输出功率：170 W（典型值）
漏极电压：32 V
漏极电流：1.5 A（脉冲）
增益：27 dB（典型值）
效率：40%以上
封装类型：TO-247
工作温度范围：-65°C至+150°C
PEMH17,115是一款基于LDMOS技术的射频功率晶体管，专为在1.8 GHz至2.2 GHz频段内提供高功率输出而设计。该器件可在32 V电源电压下工作，并提供高达170 W的典型输出功率，非常适合用于基站和发射器的射频放大器部分。PEMH17,115的增益为27 dB，确保了良好的信号放大性能，同时其效率超过40%，有助于减少功耗和散热需求。此外，该晶体管具有优异的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的环境条件下稳定运行。其TO-247封装形式便于安装和散热管理，使其成为工业级应用的理想选择。PEMH17,115的另一个显著特点是其高线性度，这对于多载波通信系统来说至关重要，因为它可以减少信号失真并提高整体系统性能。同时，该器件还具备良好的抗失配能力，能够在不同负载条件下保持稳定的工作状态。这使得PEMH17,115在各种无线基础设施应用中表现出色，包括蜂窝基站、广播放大器和测试设备。
PEMH17,115广泛应用于无线通信基础设施，如4G LTE基站、WiMAX系统和DVB-T广播发射器。它还可用于工业和测试设备中的射频功率放大器设计，以及多载波通信系统的线性放大器应用。
PEMH22,115
PEMH15,115
