LMBT4401LT1是一款由ON Semiconductor制造的NPN型双极晶体管(BJT),广泛应用于通用开关和放大电路。这款晶体管具有良好的性能和可靠性,适用于各种电子设备和电路设计。LMBT4401LT1采用SOT-23封装,便于表面贴装,适合现代电子制造的需求。
晶体管类型:NPN BJT
最大集电极电流(Ic):300 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):40 V
最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
最大功耗(Ptot):300 mW
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):在Ic=2 mA时为110-800(具体数值取决于等级)
工作温度范围:-55°C至+150°C
LMBT4401LT1具有多种特性,使其在电子应用中表现出色。首先,该晶体管的最大集电极电流为300 mA,允许其在中等功率应用中使用,例如驱动继电器、LED和小型电机。其次,集电极-发射极电压(Vce)的最大额定值为40 V,而集电极-基极电压(Vcb)的额定值为50 V,这意味着它可以在较高的电压环境下工作,适用于多种电源配置。此外,LMBT4401LT1的最大功耗为300 mW,确保在大多数常规应用中不会因过热而损坏。
这款晶体管的增益带宽积(fT)为100 MHz,使其能够在高频应用中保持良好的性能,适用于射频(RF)放大和高速开关电路。电流增益(hFE)的范围为110至800,具体数值取决于器件的等级,这为设计者提供了灵活性,可以根据应用需求选择适当的增益等级。LMBT4401LT1的工作温度范围为-55°C至+150°C,表明它可以在极端温度条件下可靠运行,适用于工业和汽车应用。
由于采用SOT-23封装,LMBT4401LT1易于在印刷电路板(PCB)上安装,并且节省空间的设计使其成为现代电子设备的理想选择。这种封装还具有良好的热管理和电气性能,确保器件在长时间运行中保持稳定。
LMBT4401LT1的应用范围广泛,包括但不限于以下领域:在数字电路中,该晶体管可以用作开关元件,驱动负载如LED、继电器和小型电机;在模拟电路中,它可用于音频放大器和其他信号放大应用,得益于其高增益带宽积和良好的电流增益特性;在电源管理电路中,LMBT4401LT1可以用于电压调节和电流控制,确保电路的稳定性和效率;在汽车电子系统中,这款晶体管适用于发动机控制单元(ECU)、照明系统和其他车载电子设备,因其宽工作温度范围和高可靠性;在工业自动化设备中,LMBT4401LT1可用于传感器接口、数据采集和控制电路,确保设备的高效运行。
BC847, 2N3904, PN2222