时间：2025/8/13 9:00:54
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LMBT3946DW1T1 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双NPN晶体管阵列，采用SOT-363（也称为SC-70）6引脚封装。该器件适用于需要高开关速度和低饱和电压的应用场景。LMBT3946DW1T1 的设计使其适用于数字和模拟电路中的通用开关应用。这款晶体管的高可靠性、小尺寸和高性能使其广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
晶体管类型：双NPN晶体管
最大集电极-发射极电压（Vceo）：40V
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大功耗（Ptot）：200mW
电流增益（hFE）：最高可达400（具体取决于测试条件）
过渡频率（fT）：100MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-363（SC-70）
LMBT3946DW1T1 的主要特性包括其高开关速度和低饱和电压，这使其在高速开关应用中表现出色。其过渡频率（fT）为100MHz，表明晶体管在高频应用中依然具有良好的性能。
该器件的集电极-发射极电压（Vceo）为40V，最大集电极电流为100mA，这使得它适用于中等功率的开关电路。由于其最大功耗为200mW，因此在设计时需要考虑适当的散热措施以确保器件的稳定运行。
LMBT3946DW1T1 的 hFE（电流增益）可以根据不同的测试条件达到高达400，这意味着它可以在较小的基极电流下驱动较大的集电极电流，从而提高电路的效率。此外，该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，使其适用于各种环境条件，包括工业级和汽车级应用。
该器件采用SOT-363封装，体积小巧，适合高密度PCB布局，并且易于进行自动化装配。
LMBT3946DW1T1 的典型应用包括逻辑电路中的开关元件、驱动LED或小型继电器、放大低频信号以及在数字电路中用作缓冲器或反相器。由于其高频性能，该晶体管也常用于射频（RF）前端电路中的开关或放大模块。
此外，LMBT3946DW1T1 可用于电池供电设备中的节能开关控制，例如便携式电子设备中的电源管理电路。在汽车电子中，它可以用于控制灯光系统、仪表盘指示灯或传感器信号的放大和处理。
该器件的高可靠性和小尺寸使其成为许多消费电子产品（如智能手机、平板电脑和智能手表）中常用的通用晶体管解决方案。
BC847BS、MMBT3904LT1、2N3904、2N2222A
